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4NF06L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,7A,RDS(ON),24mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT223-3
供应商型号: 4NF06L-VB SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4NF06L-VB

4NF06L-VB概述


    产品简介


    本手册详细介绍了一款高性能的电子元器件——4NF06L N-Channel 60-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品采用了TrenchFET®技术,具有卤素无害、符合RoHS标准的特点。该MOSFET广泛应用于电力管理系统、驱动电路、逆变器及电源转换系统等领域。

    技术参数


    - 工作电压(VDS):60 V
    - 最大结温(TJ):175 °C
    - 连续漏极电流(TJ = 175 °C):6.0 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):40 A
    - 最大功率耗散(TA = 25 °C):3.3 W
    - 热阻(稳态):75 °C/W
    - 封装类型:SOT-223

    产品特点和优势


    1. 环保设计:符合IEC 61249-2-21标准,确保卤素含量低于限制水平。
    2. 高耐温性:最高结温可达175 °C,适合高温工作环境。
    3. 低导通电阻:在10 V栅源电压下的导通电阻仅为0.029 Ω,保证了高效的电流传输。
    4. 快速响应:良好的动态特性,开关延迟时间低至10 ns,适用于高频应用。

    应用案例和使用建议


    - 电力管理系统:可作为关键组件用于电力转换过程中,如直流-交流转换器。
    - 驱动电路:可用于控制电机或其他高功率负载的驱动电路中。
    - 逆变器和电源转换器:适用于需要高效能量转换的应用。
    使用建议:
    - 在使用过程中应注意散热问题,以确保达到最优的工作性能。
    - 可通过增加散热片或使用风扇等方式改善散热效果。

    兼容性和支持


    - 本产品适用于广泛的电路设计和设备,可以方便地替换同类产品。
    - 供应商提供详细的技术文档和客户支持,确保用户能够获得最佳的使用体验。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热措施是否到位,确保有足够的散热能力。

    2. 问题:工作电流超出额定值。
    - 解决方案:调整电路设计,确保工作电流在额定范围内。

    3. 问题:产品无法正常开启或关闭。
    - 解决方案:检查电路连接,确认栅极电压设置正确。

    总结和推荐


    综上所述,4NF06L N-Channel 60-V MOSFET是一款高效、可靠的电力管理元件,具备出色的性能和广泛的应用范围。推荐在电力管理系统、驱动电路和逆变器等应用中使用。由于其优良的设计和高品质标准,是广大电子工程师的优选产品。

4NF06L-VB参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,27mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 7A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4NF06L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4NF06L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4NF06L-VB 4NF06L-VB数据手册

4NF06L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5546
100+ ¥ 1.4394
500+ ¥ 1.3818
2500+ ¥ 1.3243
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型号 价格(含增值税)
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