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FI710G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: FI710G-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FI710G-VB

FI710G-VB概述

    FI710G-VB N-Channel 650V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FI710G-VB 是一款 N 沟道 650V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率 MOSFET 类型。它主要用于高电压、大电流的应用场景,如开关电源、电机驱动、新能源汽车等领域。FI710G-VB 具备较低的栅极电荷(Qg)和较高的耐压能力,适合多种电力转换和控制任务。

    技术参数


    以下是 FI710G-VB 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 650 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th)| 2.0 4.0 | V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS 25 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on)| 2.5 Ω |
    | 栅极电荷 | Qg 48 nC |
    | 栅源电荷 | Qgs 12 nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd 19 nC |
    | 有效输出电容 | Coss 84 pF |
    | 最大工作温度 | TJ | -55 150 | °C |
    | 绝对最大脉冲电流 | IDM 18 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 325 | mJ |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:FI710G-VB 的低栅极电荷使得驱动电路设计更为简单,降低了整体功耗。
    2. 高可靠性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性,增强了产品的耐用性和稳定性。
    3. 全面的电容和电压特性:提供了完全标定的电容和雪崩电压电流,确保在不同条件下可靠工作。
    4. 符合环保要求:符合欧盟 RoHS 指令 2002/95/EC,确保产品安全环保。

    应用案例和使用建议


    FI710G-VB 主要应用于开关电源、电机驱动和新能源汽车等领域。在实际使用中,可以根据具体需求进行优化:
    - 开关电源:利用其低导通电阻和高耐压特性,可以有效减少开关损耗,提高效率。
    - 电机驱动:由于具备高电流能力和良好的耐压特性,适用于驱动大功率电机。
    - 新能源汽车:FI710G-VB 的高耐压和可靠性使其适用于高压电池管理和电动机控制。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保选用合适的驱动电路以满足低栅极电荷的需求。
    - 注意散热管理,避免过高的温度导致损坏。
    - 根据具体应用场景,合理选择驱动电压和电流,确保器件处于安全工作区域内。

    兼容性和支持


    FI710G-VB 采用 TO-220 Fullpak 封装,易于安装和散热。它与其他标准 MOSFET 电路板具有良好的兼容性,适合各种标准接口。厂商提供详尽的技术支持和维护服务,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:高温环境下运行导致性能下降。
    解决方案:增加散热措施,例如使用散热片或散热风扇,保持工作温度在安全范围内。

    2. 问题:启动时出现电流过载。
    解决方案:检查驱动电路的设计,确保电流限制在安全范围内。
    3. 问题:栅极驱动信号不稳定。
    解决方案:确认驱动电路设计无误,使用高质量的电缆和连接器以降低干扰。

    总结和推荐


    FI710G-VB N-Channel 650V MOSFET 以其高耐压、低栅极电荷和优异的可靠性,在多种应用场景中表现出色。它的低驱动需求和全面的电气特性使其成为电力转换和控制的理想选择。我们强烈推荐 FI710G-VB 用于需要高效率和高可靠性的应用场景,如开关电源、电机驱动和新能源汽车。

FI710G-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FI710G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FI710G-VB数据手册

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FI710G-VB封装设计

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