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3808NG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252 该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: 3808NG-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 3808NG-VB

3808NG-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),采用先进的 TrenchFET® 工艺制造。它主要用于服务器电源管理、DC/DC 转换以及作为 OR-ing 应用的理想选择。这些特性使其成为工业自动化、通信基础设施和消费电子设备中不可或缺的组件。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):30V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25 °C:90A
    - TA = 25 °C:25.8A(脉冲宽度 ≤ 300 μs,占空比 ≤ 2%)
    - TA = 70 °C:22A(脉冲宽度 ≤ 300 μs,占空比 ≤ 2%)
    - 脉冲漏极电流(IDM):250A
    - 最大反向恢复电荷(Qrr):70.2 至 105 nC
    - 总栅极电荷(Qg):
    - VDS = 15 V,VGS = 10 V:61 至 107 nC
    - VDS = 15 V,VGS = 4.5 V:31.5 至 50 nC
    - 输入电容(Ciss):525 pF
    - 输出电容(Coss):270 pF
    - 栅极电阻(Rg):1.4 至 2.1 Ω
    - 热阻抗(RthJA):32至40°C/W
    - 操作温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 功率 MOSFET:提供更高的效率和更低的损耗,适用于高频率应用。
    2. 100% Rg 和 UIS 测试:确保每个器件都经过严格的质量控制。
    3. 符合 RoHS 指令 2011/65/EU:环保设计,符合国际标准。
    4. 高可靠性:适用于极端环境条件,满足服务器和工业自动化的要求。

    应用案例和使用建议


    1. OR-ing 应用:MOSFET 可以用于多路供电系统的切换和保护,提高系统可靠性。
    2. 服务器电源管理:在数据中心环境中,该 MOSFET 可以有效管理和分配电源,确保服务器稳定运行。
    3. DC/DC 转换:在电源转换模块中,该 MOSFET 可以提供高效的能量转换,减少能耗。
    使用建议:
    - 确保散热片的合理安装,避免过热损坏。
    - 根据负载条件调整驱动信号的占空比,确保器件正常工作。
    - 在高频应用中,注意栅极驱动的设计,减少开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品可与大多数标准 PCB 设计兼容,适合广泛的板级应用。
    - 支持:制造商提供全面的技术支持,包括详尽的资料文档、快速响应的技术咨询以及在线培训课程。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件发热严重
    - 解决方案:增加散热措施,如加大散热片面积或加装散热风扇。

    2. 问题:驱动信号不稳定
    - 解决方案:检查驱动电路,确保信号源稳定且符合器件要求。
    3. 问题:栅极电压过高
    - 解决方案:增加外部限流电阻,防止栅极电压超过器件耐压值。

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能、可靠性和稳定性兼备的功率 MOSFET。其卓越的热性能和高效能使它在多种应用场合中表现优异。强烈推荐在服务器、数据中心和工业自动化项目中使用该产品。

3808NG-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 60A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

3808NG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

3808NG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 3808NG-VB 3808NG-VB数据手册

3808NG-VB封装设计

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100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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型号 价格(含增值税)
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