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TSM3401CX RF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: TSM3401CX RF-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TSM3401CX RF-VB

TSM3401CX RF-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 是一种使用TrenchFET®技术的功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于移动计算领域。这款MOSFET广泛应用于负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器等领域。其主要特点是能够在恶劣的环境下保持稳定的性能,并且具有较低的导通电阻(RDS(on))。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压(VDS):30 V
    - 最大栅源电压(VGS):±20 V
    - 最大连续漏电流(TJ = 150 °C):5.6 A(TC = 25 °C)

    - 性能参数:
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 在VGS = -10 V时为0.046 Ω
    - 在VGS = -6 V时为0.049 Ω
    - 在VGS = -4.5 V时为0.054 Ω
    - 最大零栅极电压漏电流(IDSS):1 µA(VDS = -30 V,VGS = 0 V)
    - 转移电导(gfs):18 S(VDS = -15 V,ID = -3.4 A)
    - 电气特性:
    - 输入电容(Ciss):1295 pF(VDS = -15 V,VGS = 0 V,f = 1 MHz)
    - 输出电容(Coss):150 pF
    - 反向传输电容(Crss):130 pF
    - 总栅极电荷(Qg):11.4 nC(VDS = -15 V,VGS = -4.5 V,ID = -5.4 A)
    - 工作环境:
    - 操作结温和存储温度范围:-55 °C 到 150 °C
    - 热阻率:最大结至环境热阻(RthJA):100 °C/W

    产品特点和优势


    这款P-Channel 30 V MOSFET的主要特点包括:
    - 低导通电阻:不同电压下的导通电阻均非常低,从而减少了功耗。
    - 高可靠性:100% Rg测试保证了产品的可靠性和耐用性。
    - 快速开关性能:得益于其优化的栅极电荷和总电容,使它能够实现快速开关操作。
    - 宽温度范围:能够在极端条件下保持稳定性能。
    这些特点使得该产品在移动计算领域的应用中表现出色,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 笔记本适配器开关:通过降低开关损耗,提高了效率并减少了发热。
    - DC/DC转换器:由于其低导通电阻和快速开关性能,可显著提升转换效率。
    - 负载开关:确保了在不同工作条件下稳定的电流控制。
    使用建议
    - 散热设计:由于其较高功率耗散(PD = 2.5 W),建议采用适当的散热措施以保持温度稳定。
    - 电路布局:尽量缩短栅极引线长度,减少寄生电感,进一步提高开关速度。

    兼容性和支持


    这款P-Channel 30 V MOSFET适用于多种标准封装,包括SOT-23封装,这使得它可以方便地与其他电子元器件或设备集成。此外,制造商提供详细的技术支持文档和客户服务热线(400-655-8788),以便用户随时获取帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    问题一:开关损耗过高
    解决办法:检查电路布局和栅极电阻设置,尽量减少寄生电感和降低栅极电阻值。
    问题二:工作温度过高
    解决办法:增加散热措施,如安装散热片或使用更高效的散热方法。
    问题三:栅极电压不稳定
    解决办法:确保栅极驱动电路设计正确,使用合适的栅极电阻来稳定电压。

    总结和推荐


    总结:
    该款P-Channel 30 V MOSFET凭借其卓越的低导通电阻、快速开关性能和高可靠性,在移动计算领域表现出了明显的优势。它在多个关键指标上都优于同类产品,特别是在功率损耗和温度稳定性方面。
    推荐:
    鉴于上述优点,强烈推荐在需要高效能和高可靠性的应用中使用该款MOSFET,如笔记本适配器开关、DC/DC转换器以及负载开关。同时,为确保最佳性能,建议用户在使用前仔细阅读相关技术文档,并在必要时咨询技术支持。

TSM3401CX RF-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 5.6A
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TSM3401CX RF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TSM3401CX RF-VB数据手册

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TSM3401CX RF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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