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JCS830R-O-R-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: JCS830R-O-R-N-B-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS830R-O-R-N-B-VB

JCS830R-O-R-N-B-VB概述


    产品简介


    JCS830R-O-R-N-B 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、电机驱动、电池管理和其他电力转换系统。它具有高击穿电压(VDS)和低导通电阻(RDS(on)),能有效降低功耗并提高系统效率。此外,其低门极电荷(Qg)使其易于驱动,适合需要简单控制的应用场合。

    技术参数


    - 击穿电压(VDS):650 V
    - 导通电阻(RDS(on)):0.95 Ω (VGS = 10 V)
    - 最大总门极电荷(Qg):15 nC
    - 门极-源极电荷(Qgs):3 nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):6 nC
    - 连续漏极电流(ID):4 A (TC = 100 °C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):16 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):120 mJ
    - 最大功率耗散(PD):205 W (TC = 25 °C)
    - 体二极管反向恢复时间(trr):180 ns (TJ = 25 °C, IF = 3.2 A, dI/dt = 100 A/µs)
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    - 低门极电荷(Qg):简化驱动需求,降低能耗。
    - 改进的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐压能力:增强器件的鲁棒性和可靠性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压、电流特性:确保产品在各种条件下的性能稳定性。
    - 符合 RoHS 规范:环保材料,适用于各种应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    JCS830R-O-R-N-B 广泛应用于电力转换系统,如开关电源和逆变器。例如,在一个典型的 650 V 开关电源设计中,这款 MOSFET 可以高效地处理高压输入,并通过其低 RDS(on) 和低 Qg 特点来降低整体系统损耗。
    使用建议
    - 布局设计:由于 MOSFET 的高频特性,建议采用低寄生电感和接地平面的设计来减少电磁干扰。
    - 驱动电路:使用合适的门极驱动器,确保门极信号的快速切换,从而进一步提高效率。

    兼容性和支持


    JCS830R-O-R-N-B 与标准的 TO-220AB 封装兼容,适用于广泛的工业和消费电子产品。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,确保用户可以轻松地进行选型和应用设计。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | MOSFET 温度过高 | 确保良好的散热措施,如使用散热片。 |
    | 开关损耗较大 | 选择更低 RDS(on) 和更低 Qg 的型号。 |
    | 驱动电压不正确 | 确认门极驱动电压设置为指定值。 |

    总结和推荐


    JCS830R-O-R-N-B 是一款性能优异、可靠性强的 N 沟道 MOSFET,特别适合高压电力转换应用。其低导通电阻和低门极电荷特性使其成为高效能、低能耗系统的理想选择。因此,强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的工程师和技术人员。
    请注意,上述内容是基于所提供的数据表和技术规范所生成的内容摘要,具体产品详细信息和实际应用请参照官方技术手册和相关支持文档。

JCS830R-O-R-N-B-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

JCS830R-O-R-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS830R-O-R-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS830R-O-R-N-B-VB JCS830R-O-R-N-B-VB数据手册

JCS830R-O-R-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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型号 价格(含增值税)
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