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IRLZ24STRL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: IRLZ24STRL-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLZ24STRL-VB

IRLZ24STRL-VB概述


    产品简介


    IRLZ24STRL-VB是一款N沟道60V(漏-源)MOSFET,适用于表面贴装,可提供在卷带中的产品形式。这款MOSFET具有低栅极电荷和快速开关性能,符合RoHS指令2002/95/EC和无卤素标准IEC 61249-2-21的要求。它广泛应用于电源管理、电机控制和其他需要高效率和快速响应的应用场合。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±10 V
    - 持续漏极电流 \( ID \): 50 A (在 \( TC \) = 25°C)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 200 A
    - 最大功率耗散 \( PD \): 150 W (在 \( TC \) = 25°C)
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0 V - 3.0 V
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \): 25 μA (在 \( V{DS} \) = 60 V)
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.032 Ω (在 \( V{GS} \) = 10 V, \( ID \) = 21 A)
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 3000 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): -
    - 门电荷 \( Qg \): 66 nC
    - 开启延时时间 \( t{d(on)} \): 17 ns

    产品特点和优势


    IRLZ24STRL-VB 的主要特点包括:
    - 逻辑电平栅极驱动:使得该MOSFET可以由微控制器直接驱动。
    - 快速开关:有助于提高系统效率并减少热损耗。
    - 高可靠性:符合RoHS和无卤素标准,适用于环保要求高的应用。
    - 动态dv/dt额定值:确保在高瞬态电压下的稳定性。
    这些特性使该产品在电源管理和电机控制领域中表现出色,尤其适合于需要快速开关和低功耗的应用场合。

    应用案例和使用建议


    IRLZ24STRL-VB 可用于多种应用场合,如直流-直流转换器、电池充电器、电源开关和电机驱动电路。例如,在一个直流-直流转换器设计中,可以通过使用该MOSFET来提高转换效率和减小损耗。
    使用建议:
    - 在选择散热材料时,确保其能够承受最大功率耗散,避免过热。
    - 确保电路布局低寄生电感,以充分利用MOSFET的快速开关性能。

    兼容性和支持


    IRLZ24STRL-VB 可与标准的D2PAK封装兼容。制造商提供了详细的技术文档和支持,包括热阻参数和典型特性图表。如果需要进一步的技术支持,可以通过服务热线400-655-8788联系厂商获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET发热严重
    - 解决方案:检查散热设计,增加散热片或优化PCB布局。

    - 问题2:驱动电流不足导致开关速度慢
    - 解决方案:确认驱动器能够提供足够的驱动电流,调整门电阻和电路布局以减少寄生电感。

    总结和推荐


    IRLZ24STRL-VB 是一款出色的N沟道MOSFET,具备低导通电阻、快速开关和高可靠性等特点。在设计需要高效能和紧凑布局的应用时,该产品是一个理想的选择。强烈推荐在各种电源管理和电机控制应用中使用此MOSFET。

IRLZ24STRL-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 40A
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRLZ24STRL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLZ24STRL-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLZ24STRL-VB IRLZ24STRL-VB数据手册

IRLZ24STRL-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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