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F830-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: F830-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F830-VB

F830-VB概述


    产品简介


    F830-VB是一款低栅极电荷(Qg)的N沟道功率MOSFET,主要适用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)及高速功率转换等领域。这款MOSFET具有简单的驱动要求,提高了栅极、雪崩击穿和动态dv/dt的坚固性,能够全面表征电容和雪崩电压及电流,使其在多个工业领域中展现出色性能。

    技术参数


    以下是F830-VB的技术规格:
    - 漏源电压 (VDS):600V
    - 最大导通电阻 (RDS(on)):在VGS = 10V时为0.780Ω
    - 总栅极电荷 (Qg max.):49nC
    - 栅源电荷 (Qgs):13nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):20nC
    - 封装形式:TO-220AB
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):600V
    - 栅源电压 (VGS):±30V
    - 持续漏极电流 (ID):在25°C时为8.0A,在100°C时为5.8A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):290mJ
    - 最大功耗 (PD):170W
    - 峰值二极管恢复 (dV/dt):5.0V/ns
    - 热阻率:
    - 最大结至环境热阻 (RthJA):62°C/W
    - 最大结至外壳热阻 (RthJC):0.75°C/W
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss):1400pF
    - 输出电容 (Coss):1957pF(VDS = 0V时),49pF(VDS = 480V时)
    - 反向传输电容 (Crss):7.1pF

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:低栅极电荷 (Qg) 可降低驱动要求,简化设计。
    - 坚固耐用:增强栅极、雪崩和动态 dv/dt 的坚固性,确保长期稳定运行。
    - 高可靠性:完全表征电容和雪崩电压及电流,提供全面的数据支持。
    - 适用性广:适用于多种拓扑结构的离线SMPS,如主动钳位前馈电路。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源 (SMPS):在SMPS系统中,F830-VB可以有效地提高转换效率,减少热损耗。
    - 不间断电源 (UPS):UPS系统中需要高可靠性和快速响应能力,F830-VB的特性使其成为理想选择。
    - 高速功率转换:F830-VB在高频环境下表现出色,适合用于高速功率转换应用。
    使用建议
    - 散热管理:由于高功率密度,必须注意散热管理,确保结温不超过150°C。
    - 驱动电路设计:合理的驱动电路设计可有效降低驱动损耗,提升系统整体效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:F830-VB支持常见的SMPS拓扑结构,与各种控制器和驱动器兼容。
    - 技术支持:台湾VBsemi公司提供了详尽的文档和技术支持,帮助用户解决应用中的各种问题。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何确定合适的栅极电阻?
    - A:根据具体应用需求和电路参数来调整栅极电阻,通常可以通过试验法确定最佳值。

    - Q:在高温环境下如何保持良好的性能?
    - A:确保散热系统良好,并监控结温,不要超过150°C。

    - Q:如何改善系统的EMI性能?
    - A:合理布局电路板,减少寄生电感,使用屏蔽技术,以降低EMI干扰。

    总结和推荐


    F830-VB作为一款高性能N沟道功率MOSFET,具备出色的低栅极电荷、坚固耐用等特点,适用于多种电力电子应用。其强大的性能和可靠性使其在开关电源和高速功率转换等领域中具有广泛的市场竞争力。因此,我强烈推荐使用F830-VB以满足相关应用的需求。

F830-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 8A
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

F830-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

F830-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 F830-VB F830-VB数据手册

F830-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
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