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IRLI530A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: IRLI530A-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLI530A-VB

IRLI530A-VB概述

    IRLI530A-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRLI530A-VB 是一款单片封装的N沟道100V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET主要用于电源管理和控制应用,包括但不限于开关电源、逆变器和电机驱动系统。其独特的隔离设计和高电压耐受能力使其成为许多高压和高可靠性应用场景的理想选择。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 100 V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ± 20 V
    - 最大连续漏电流 \( ID \) @ TC=25°C: 18 A
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 68 A
    - 静态导通电阻 \( R{DS(on)} \) @ VGS=10 V: 0.086 Ω
    - 热阻 \( R{thJC} \): 3.1 °C/W
    - 最大功率耗散 \( PD \) @ TC=25°C: 48 W
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1700 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 560 pF
    - 门极电荷 \( Qg \): 72 nC
    - 门极-源极电荷 \( Q{gs} \): 11 nC
    - 门极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 32 nC
    - 其他参数
    - 重复雪崩能量 \( E{AR} \): 4.8 mJ
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 720 mJ
    - 最大反向恢复电压 \( dV/dt \): 5.5 V/ns
    - 最大体二极管反向恢复时间 \( t{rr} \): 360 ns

    3. 产品特点和优势


    - 高电压隔离能力: 具有2.5 kVRMS的高电压隔离能力,适用于需要高可靠性的高压应用。
    - 低热阻: 低至3.1 °C/W的热阻使得器件在高功率条件下也能保持良好的散热性能。
    - 高可靠性: 动态dv/dt额定值和高雪崩耐受能力增强了器件的可靠性和耐用性。
    - 宽工作温度范围: 能够在-55°C到+175°C的极端环境中稳定运行。
    - 无铅封装: 符合RoHS标准,环保且对人体健康无害。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源: 在高压直流转换器中,IRLI530A-VB能够高效地进行功率转换。
    - 电机驱动: 作为电机驱动电路中的开关元件,可以有效地实现电机的正反转控制。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于其较高的热阻,建议采用有效的散热措施,如使用散热片或散热风扇,以保证长期稳定工作。
    - 布局考虑: 布局时应尽量减少寄生电感的影响,特别是在高频开关应用中。

    5. 兼容性和支持


    IRLI530A-VB与常见的电源管理电路和电机驱动电路具有良好的兼容性。制造商提供了详尽的技术支持和维护服务,包括数据手册和技术文档,以帮助用户更好地理解和使用这款产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备过热
    - 解决方案: 检查散热设计,增加散热片或散热风扇。

    - 问题: 电路不稳定
    - 解决方案: 检查门极驱动信号,确保信号质量良好且幅度适中。

    7. 总结和推荐


    IRLI530A-VB N-Channel 100-V MOSFET凭借其高电压隔离能力、低热阻和宽工作温度范围,在各种高压和高可靠性应用中表现出色。它适合用于开关电源、逆变器和电机驱动等领域。推荐给需要高性能和高可靠性的电力电子应用场合。

IRLI530A-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRLI530A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLI530A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLI530A-VB IRLI530A-VB数据手册

IRLI530A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
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