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IRFB4310-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: IRFB4310-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFB4310-VB

IRFB4310-VB概述

    # IRFB4310-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本信息
    - 产品类型:IRFB4310-VB 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
    - 主要功能:该器件用于开关电源和其他电力电子应用中,能够实现高效率的能量转换和控制。
    - 应用领域:广泛应用于工业自动化、新能源、汽车电子、消费电子等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 100 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
    | 连续漏极电流(TJ=150°C) | ID | 120 | A |
    | 脉冲漏极电流(t=100 μs) | IDM | 480 | A |
    | 单次雪崩电流 | IAS | 73 | A |
    | 单次雪崩能量(L=0.1 mH) | EAS | 266 | mJ |
    | 最大功耗(Tc=25°C) | PD | 370 | W |
    | 最大功耗(Tc=125°C) | PD | 120 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 to +175 | °C |
    额定工作条件
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 100 | - | - | V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250 μA | 2.5 | - | 4 | V |
    | 门极-体泄漏 | IGSS | VDS = 0 V, VGS = ±20 V | - | - | ±250 | nA |
    | 零门极电压漏极电流 | IDSS | VDS = 100 V, VGS = 0 V | - | - | 1 | μA |
    | 门极电阻 | Rg | f = 1 MHz | 0.6 | 3.3 | 6.6 | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | VDS = 50 V, VGS = 10 V, ID = 20 A | 6 | 120 | nC |

    产品特点和优势


    独特功能
    - ThunderFET® 功率 MOSFET:具备更高的开关速度和更低的导通电阻。
    - 高温耐受能力:最大结温可达 175°C,适应恶劣环境。
    - 严格测试:100% Rg 和 UIS 测试确保产品质量。
    市场竞争力
    - 高效能表现,适用于需要高可靠性、高温环境的场合。
    - 高集成度,减少外围电路复杂度,提升系统整体稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 适用于开关电源设计中的降压、升压变换器。
    - 在电机驱动和电池管理系统中实现高效功率管理。
    使用建议
    - 在选择合适的工作频率时,应注意负载条件和散热设计。
    - 对于高频应用,建议使用较小的门极电阻以减小开关损耗。

    兼容性和支持


    兼容性
    - IRFB4310-VB 与市场上主流的电路板和电源模块兼容。
    - 支持广泛的应用环境和接口标准。
    厂商支持
    - 提供详尽的技术文档和在线技术支持,确保客户能够快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    问题与解决方案
    1. 问题:长时间工作后结温过高。
    - 解决方案:改善散热设计,增加散热片或采用水冷方式。

    2. 问题:开关过程中存在较大的损耗。
    - 解决方案:优化驱动电路设计,降低驱动电阻。

    总结和推荐


    综合评估
    IRFB4310-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具有卓越的开关性能、可靠的高温工作能力和严格的制造质量控制。其广泛应用于工业和汽车领域,尤其适合对效率和可靠性要求较高的应用场合。
    推荐结论
    基于以上分析,我们强烈推荐 IRFB4310-VB 用于需要高性能和高可靠性的电力电子应用。其优秀的技术参数和市场竞争力使其成为值得信赖的选择。

IRFB4310-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,19mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 120A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFB4310-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFB4310-VB数据手册

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IRFB4310-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.1228
100+ ¥ 5.6693
500+ ¥ 5.4425
1000+ ¥ 5.2158
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型号 价格(含增值税)
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