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PHP69N03T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO220封装,适用于各种应用场合。
供应商型号: PHP69N03T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PHP69N03T-VB

PHP69N03T-VB概述

    PHP69N03T N-Channel 30 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    PHP69N03T 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道 30 V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种器件采用 TrenchFET® 技术,具有低热阻封装,适用于多种电力应用。这款 MOSFET 在设计和生产过程中经过严格测试,确保了其可靠性和稳定性。该器件主要应用于电源管理、电机驱动、电池充电器等领域。

    技术参数


    - 基本规格
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ± 20 V
    - 最大连续漏电流 \( ID \): 70 A
    - 最大脉冲漏电流 \( I{DM} \): 250 A
    - 最大单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \): 33 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 54 mJ
    - 工作温度范围
    - 连续工作温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55°C 至 +175°C
    - 热阻
    - 结至环境热阻 \( R{thJA} \): 50 °C/W (当安装在 1" x 1" 的 PCB 上)
    - 结至外壳热阻 \( R{thJC} \): 2.1 °C/W
    - 静态参数
    - 击穿电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \): 1.0 V ~ 2.5 V
    - 零栅压漏电流 \( I{DSS} \): 1 μA (VDS = 30 V, TJ = 125 °C)
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1500 pF (VDS = 25 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 260 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 95 pF
    - 总门极电荷 \( Qg \): 46 nC ~ 75 nC

    产品特点和优势


    1. 高性能 TrenchFET® 技术:提高效率,降低导通电阻。
    2. 低热阻封装:有效散热,延长使用寿命。
    3. 严格的测试标准:确保每颗芯片在出厂前都通过 Rg 和 UIS 测试。
    4. 宽工作温度范围:适应极端环境下的使用需求。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理:适合用于开关电源的设计,能够高效地控制电流。
    - 电机驱动:能够在高电流环境下稳定工作,减少发热。
    - 电池充电器:快速充电的同时保证安全性。
    使用建议:
    - 在使用时,应尽量避免超过绝对最大额定值,以防止损坏。
    - 注意 PCB 设计的散热处理,避免过热。

    兼容性和支持


    - 该产品兼容 TO-220AB 封装标准,易于集成到现有系统中。
    - 厂商提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中得到充分帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 使用过程中出现异常高温。
    - 解决方法: 检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或改进 PCB 设计。
    - 问题2: 电流输出不稳定。
    - 解决方法: 检查门极驱动信号是否正常,调整栅极电阻以优化开关速度。

    总结和推荐


    PHP69N03T N-Channel 30 V MOSFET 是一款具备高性能和高可靠性的器件,适用于多种电力应用。其独特的 TrenchFET® 技术显著提升了整体性能,尤其在高功率应用中表现优异。总体来看,强烈推荐使用这款产品,尤其是在需要高性能和高可靠性电力管理的场合。
    如有任何疑问,欢迎联系我们的服务热线:400-655-8788 获取进一步的帮助和支持。

PHP69N03T-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,10mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 70A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

PHP69N03T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PHP69N03T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PHP69N03T-VB PHP69N03T-VB数据手册

PHP69N03T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.5558
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型号 价格(含增值税)
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