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JCS9N50CC-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: JCS9N50CC-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS9N50CC-VB

JCS9N50CC-VB概述

    # JCS9N50CC-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    JCS9N50CC-VB 是一款高性能 N-通道 MOSFET,适用于多种电力转换应用。其独特的设计使其在驱动要求上更加简便,同时具备出色的抗门极、雪崩及动态 dV/dt 硬度。产品已通过 RoHS 认证,确保符合环保标准。
    主要功能
    - 低门极电荷(Qg)有助于简化驱动需求
    - 改进的门极、雪崩及动态 dV/dt 稳健性
    - 全面表征的电容和雪崩电压
    应用领域
    - 开关电源
    - 电机驱动
    - 不间断电源(UPS)
    - 变频器

    技术参数


    以下是 JCS9N50CC-VB 的关键技术规格:
    - 最大漏源电压 (VDS): 500 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.660 Ω (VGS = 10 V)
    - 总栅极电荷 (Qg): 81 nC (VGS = 10 V, VDS = 400 V)
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 20 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 36 nC
    - 最大连续漏极电流 (ID): 13 A (TC = 25 °C), 8.1 A (TC = 100 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 50 A (脉冲宽度 ≤ 300 μs, 占空比 ≤ 2%)
    - 单次冲击雪崩能量 (EAS): 560 mJ
    - 最大功耗 (PD): 250 W (TC = 25 °C)
    - 峰值二极管恢复电压 (dV/dt): 9.2 V/ns

    产品特点和优势


    - 低门极电荷 (Qg): 减少了对驱动电路的要求,使整体系统更加高效和可靠。
    - 改进的稳健性: 提高了门极、雪崩及动态 dV/dt 的耐用性,适合苛刻的应用环境。
    - 全面表征: 包括电容和雪崩电压,使得在不同条件下性能稳定。
    - 环保认证: 符合 RoHS 指令,保证产品符合国际环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    JCS9N50CC-VB 已经广泛应用于开关电源、电机驱动和不间断电源等设备中。例如,在电机驱动应用中,它可以有效地控制电机的启动和停止,提高系统的响应速度和稳定性。
    使用建议
    - 在高功率应用中,应确保良好的散热措施以防止过热。
    - 避免长时间工作在接近绝对最大额定值的状态下,以防器件损坏。
    - 在使用时应注意栅极驱动的设计,以降低噪声和提高可靠性。

    兼容性和支持


    JCS9N50CC-VB 采用 TO-220AB 封装,易于安装和替换。厂商提供全面的技术支持,包括详细的技术手册和在线咨询服务。此外,还可以根据客户需求提供定制化解决方案。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何确定最大工作温度?
    - 参考绝对最大额定值中的结温范围(-55°C 到 +150°C),并在实际应用中考虑散热措施。
    2. 如何测量漏源导通电阻 (RDS(on))?
    - 可以使用标准万用表或专用测试仪器进行测量。具体方法可以参考技术手册中的描述。
    解决方案
    - 对于温度管理,确保设备周围有足够的空气流通,或采用外部散热器。
    - 对于 RDS(on) 测量,遵循技术手册中的步骤进行操作,注意测试条件的一致性。

    总结和推荐


    JCS9N50CC-VB N-通道 MOSFET 以其优异的性能和稳定性,在电力转换和控制应用中表现出色。它具有低门极电荷、改进的稳健性和环保认证等显著优势。经过详细的测试和验证,我们推荐这款产品用于各种工业和商业应用中。
    推荐理由
    - 高效可靠的驱动性能
    - 广泛适用的应用场景
    - 符合国际环保标准
    如果您需要进一步的信息或技术支持,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

JCS9N50CC-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 500V
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
Id-连续漏极电流 13A
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS9N50CC-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS9N50CC-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS9N50CC-VB JCS9N50CC-VB数据手册

JCS9N50CC-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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