处理中...

首页  >  产品百科  >  J335-VB

J335-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-5.8A,RDS(ON),50mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: J335-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J335-VB

J335-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的电子元器件,广泛应用于各种电力管理和控制场景。它采用了先进的 TrenchFET® Power MOSFET 技术,确保高效能和可靠性。此产品通过了无卤认证(根据 IEC 61249-2-21 定义),并提供完整测试报告以保证质量和设计一致性。
    主要功能:
    - 负载开关 和 电池切换 是其核心应用。
    - 支持高精度电流和电压控制,适配多种电力系统。
    应用领域:
    - 数据中心和服务器电源管理。
    - 汽车电子系统(如电池保护和管理)。
    - 工业自动化设备及便携式设备电源模块。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 值范围 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDS) | -30 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.050(典型值) | Ω |
    | 最大连续漏极电流 (ID) | -7.6 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM)| -35 | A |
    | 额定功率 (PD) | 6.5(TC=25°C) | W |
    | 最大结温 (TJ) | 150 | °C |
    | 结到环境热阻 (RthJA) | 40 | °C/W |
    特点:
    - 极低的导通电阻(RDS(on)),适合高频和高效率应用。
    - 具备抗静电放电能力和快速开关性能。
    - 能在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作。

    产品特点和优势


    独特功能:
    1. 采用先进的沟槽技术,显著降低导通损耗。
    2. 内置保护电路,防止过流和过压。
    3. 确保符合环保要求(RoHS 和无卤素认证)。
    市场竞争力:
    - 适用于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。
    - 在高频率开关应用中表现出色,具有较低的开关损耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 笔记本电脑电池管理:此产品常用于笔记本电脑的电池保护电路,通过其高性能特性,可以有效延长电池寿命。
    - 工业控制设备:在工业控制系统中作为负载开关,保证电路的安全性和稳定性。
    使用建议
    1. 优化散热设计:由于功耗较高,建议通过外部散热片或 PCB 布局优化来提高热传导效率。
    2. 注意工作温度:长期工作在高温环境下可能导致性能下降,需适当降低电流输出或增加散热措施。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该器件可以与其他标准 SOT89 封装的产品互换使用。
    - 可与主流微控制器和电源管理芯片搭配,形成完整的电力管理系统。
    支持与维护:
    - 提供详尽的技术文档和应用指南。
    - 厂商(VBsemi)设有全国服务热线(400-655-8788),为用户提供技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 增加散热措施,例如加装散热片。 |
    | 开关速度慢 | 减少门极电阻(Rg),改善驱动电路设计。 |
    | 导通电阻增大 | 检查焊接质量,确保良好接触。 |

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:高效能、低功耗、宽工作温度范围,符合绿色环保要求。
    - 适用场景:特别适合于需要高可靠性、高效率的电力管理应用。
    推荐结论:
    强烈推荐使用这款 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET,尤其是对于需要高性能、小体积和长使用寿命的电力管理场景。结合厂家提供的全面技术支持,能够为终端用户提供优质的使用体验。

J335-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -600mV~-2V
Id-连续漏极电流 5.8A
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J335-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J335-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J335-VB J335-VB数据手册

J335-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.8746
100+ ¥ 0.8098
500+ ¥ 0.7773
1000+ ¥ 0.745
库存: 400000
起订量: 35 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:35
合计: ¥ 30.61
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504