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J579-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-5A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: J579-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J579-VB

J579-VB概述

    P-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本产品是一款采用沟槽技术的P通道60V功率MOSFET(型号为P-Channel 60-V MOSFET)。它被广泛应用于负载开关领域,提供高效可靠的电流控制功能。通过独特的设计,这款MOSFET在电源管理方面表现出色,适用于多种高可靠性需求的应用场合。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 最大连续漏极电流 (TJ = 150°C):
    - TC = 25°C: -8.0A
    - TC = 70°C: -0.5A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): -20A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 10.1mJ
    - 持续源漏二极管电流 (TC = 25°C): -6.9A
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C): 10.4W
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 至 150°C
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (VDS): -60V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS): -1μA
    - 导通状态漏极电流 (ID(on)): -25A
    - 导通状态漏源电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10V: 0.0Ω
    - VGS = -4.5V: 0.0Ω
    - 前向转移电导 (gfs): 20S
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss): 1500pF
    - 输出电容 (Coss): 200pF
    - 反向转移电容 (Crss): 150pF
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VDS = -30V, VGS = -10V: 38nC
    - VDS = -30V, VGS = -4.5V: 19nC
    - 热阻抗:
    - 最大结至环境热阻 (RthJA): 33°C/W (典型值), 40°C/W (最大值)
    - 最大结至外壳热阻 (RthJC): 0.98°C/W (典型值), 1.2°C/W (最大值)

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET: 采用了先进的沟槽技术,实现了低导通电阻和高可靠性。
    - 100% UIS测试: 确保每个产品都能承受极端条件下的雪崩能量。
    - 超低RDS(on): 低至0.0Ω,实现高效的电流控制。
    - 高功率处理能力: 支持高达10.4W的最大功率耗散,适用于多种高负载应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关: 这款MOSFET非常适合用于负载开关,例如直流电源系统的控制。它能有效地减少功耗并提高系统稳定性。
    - 使用建议:
    - 在使用时确保散热良好,避免过热现象。
    - 考虑到其高功率处理能力,可以考虑在高频开关电路中使用。
    - 在选择驱动电路时,注意栅极电荷量,以确保快速准确的开关控制。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品可与各种常用的PCB布局兼容,支持标准的SOT89封装。
    - 支持: 供应商提供详尽的技术文档和在线支持,以帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 该MOSFET的最大功率耗散是多少?
    - A: 最大功率耗散为10.4W (TC = 25°C),需确保良好的散热措施以维持其正常运行。

    - Q: 如何防止过温情况?
    - A: 使用适当的散热片和散热器来降低MOSFET的工作温度,避免过热导致损坏。

    7. 总结和推荐


    总结: P-Channel 60-V MOSFET 以其出色的电气特性和可靠性,成为负载开关应用的理想选择。它的低导通电阻和高功率处理能力使其在多种电力管理和控制场景中表现出色。
    推荐: 强烈推荐此产品给需要高性能P通道MOSFET的工程师和设计师。其优秀的电气性能和可靠性将有助于提升整个系统的性能和稳定性。

J579-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@10V,70mΩ@4.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 5A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J579-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J579-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J579-VB J579-VB数据手册

J579-VB封装设计

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