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UT2352L-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: UT2352L-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2352L-AE3-R-VB

UT2352L-AE3-R-VB概述

    # P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    P-Channel 30V (D-S) MOSFET 是一种高性能的TrenchFET®功率金属氧化物半导体场效应晶体管,适用于多种高效率电力应用。它具有卓越的开关特性和低导通电阻(RDS(on)),使其成为移动计算、负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器的理想选择。
    主要功能
    - 极低的导通电阻,适用于高效能电路设计。
    - 适用于高压和高温环境下工作。
    - 支持快速开关,减少功耗并提高整体效率。
    应用领域
    - 移动计算设备(如笔记本电脑)。
    - 负载开关。
    - 笔记本适配器开关。
    - DC/DC转换器。

    技术参数


    以下是P-Channel 30V MOSFET的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | -30 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | -0.5 | - | 2.0 | V |
    | 栅源漏电 | IGSS | ±100 | - | - | nA |
    | 漏极电流(连续) | ID | - | -5.6 | - | A |
    | 漏极电流(脉冲) | IDM | - | -18 | - | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.046 | - | - | Ω |
    | 热阻抗(结到环境) | RthJA | - | 75 | 100 | °C/W |

    产品特点和优势


    - 高效能设计:采用TrenchFET®技术,提供极低的导通电阻,显著降低功耗。
    - 高可靠性:所有产品均通过100% Rg测试,确保长期稳定运行。
    - 宽工作温度范围:支持从-55°C到150°C的工作温度,适应恶劣环境。
    - 快速响应:具备快速开关能力,减少延迟时间,提高系统效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在移动计算设备中,用于实现高效的负载开关功能。
    - 笔记本适配器中作为主开关,提高能量转换效率。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计以保持最佳性能。
    - 设计电路时,确保负载不超过额定值,避免过载损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此MOSFET可与其他标准SOT-23封装的产品互换使用,方便集成。
    - 支持:提供全面的技术文档和支持服务,包括详细的安装指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查是否达到最低栅源电压 |
    | 热管理困难 | 增加散热片或改进散热方案 |
    | 开关速度慢 | 优化驱动电路的设计 |

    总结和推荐


    综合评估
    P-Channel 30V MOSFET以其高效能、高可靠性和广泛的适用性,在多个领域表现出色。其优异的导通电阻和快速开关特性使其成为高性能应用的理想选择。
    推荐结论
    我们强烈推荐这款产品给需要高效能和高可靠性的工程师和设计师。无论是移动计算还是电源管理系统,这款MOSFET都能提供卓越的表现和稳定性。
    希望以上信息对您有所帮助!如需进一步了解,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

UT2352L-AE3-R-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5.6A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2352L-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2352L-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2352L-AE3-R-VB UT2352L-AE3-R-VB数据手册

UT2352L-AE3-R-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
库存: 400000
起订量: 80 增量: 3000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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