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J472-01S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
供应商型号: J472-01S-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J472-01S-VB

J472-01S-VB概述

    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本手册描述的是VBsemi公司生产的P-Channel 30-V(D-S)MOSFET。这种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)采用先进的TrenchFET®技术制造,具有卓越的电气特性和稳定性。其主要功能是在负载开关和笔记本适配器开关等应用中提供高效可靠的电力控制。这款MOSFET适用于多种场合,包括负载开关和笔记本电源管理。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 30 | V |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | -1.0 | - | 2.5 | V |
    | 门源泄漏电流 | IGSS | - | - | ± 100 | nA |
    | 正向传输电导 | gfs | - | 28 | - | S |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 255 | pF |
    | 瞬态热阻抗(脉冲) | RthJA | - | 38 | 46 | °C/W |
    | 最大功率耗散 | PD | - | - | 25 | W |
    | 最大工作结温 | TJ | -55 | - | 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素:符合环保标准,适用于绿色设计项目。
    - 100% Rg测试:确保每个单元都经过严格的栅极电阻测试。
    - 100% UIS测试:确保产品在短路条件下的可靠性。
    - 高效率:低RDS(on)(0.033 Ω @ VGS=-10V, 0.046 Ω @ VGS=-4.5V),减少损耗,提高效率。
    - 快速开关性能:较低的门源电荷和栅极电阻,确保快速开关,提高系统性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关:应用于各种需要精确电力控制的应用,如电机驱动和电源转换电路。
    - 笔记本适配器开关:用于提高笔记本电源适配器的能效。
    使用建议:
    - 在使用过程中应注意散热设计,确保工作温度不超过150°C。
    - 结合适当的驱动电路,以确保开关过程的稳定性和快速响应。

    5. 兼容性和支持


    该MOSFET采用TO-252封装,广泛兼容现有的PCB设计和安装标准。制造商提供了详尽的技术支持文档,包括应用指南和设计软件工具,确保用户能够充分利用其潜力。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 高温下工作时性能下降?
    - A: 适当增加散热片或冷却措施,确保温度不超过最大额定值。
    - Q: 开关过程中出现高频振荡?
    - A: 使用适当的旁路电容,减小门极引线的杂散电感,优化门极驱动信号。

    7. 总结和推荐


    VBsemi的P-Channel 30-V(D-S)MOSFET凭借其出色的电气特性、高效能和可靠性能,在多个应用领域中表现出色。它不仅适合负载开关和笔记本适配器,还可以广泛应用于工业控制系统、通信设备和汽车电子等领域。因此,强烈推荐该产品给那些寻求高性能电力控制解决方案的设计工程师们。

J472-01S-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 26A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,46mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J472-01S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J472-01S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J472-01S-VB J472-01S-VB数据手册

J472-01S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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