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IRLR220TF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应晶体管,具有200V的额定漏极-源极电压和10A的漏极电流。其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。200V,10A,RDS(ON),245mΩ@10V,368mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.06Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: IRLR220TF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLR220TF-VB

IRLR220TF-VB概述


    产品简介


    N-Channel 200 V MOSFET(型号为IRLR220TF)是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。该产品特别适用于开关电源中的初级侧开关应用,具有高可靠性、高温耐受能力和快速响应特性。它的主要功能包括实现高效能的开关操作,从而提高电源转换效率。此产品广泛应用于消费电子产品、工业控制、汽车电子等多个领域。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 200 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.087 Ω(在 VGS = 10 V, ID = 3 A 条件下)
    - 连续漏极电流 (ID): 175 °C 时 7 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 12 A
    - 雪崩电流 (IAS): 6 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 18 mJ
    - 最大功耗 (PD): 96 W
    - 热阻 (RthJA): 15 °C/W (瞬态), 40 °C/W (稳态)
    - 封装形式: TO-252
    - 温度范围: 操作温度范围 -55 °C 至 175 °C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): 在 VGS = 10 V 和 ID = 3 A 的条件下,其 RDS(on) 仅为 0.087 Ω,这显著提高了电源转换效率。
    - 高温度耐受性: 能承受高达 175 °C 的结温,使得其适用于严苛的工业环境。
    - PWM 优化: 设计适用于 PWM(脉宽调制)系统,保证了高效的开关操作。
    - 100% Rg 测试: 每个器件均经过 Rg(栅极电阻)测试,确保产品的可靠性和一致性。
    - 符合 RoHS 规范: 符合环保标准,有助于绿色制造。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 开关电源: 主要用于电源适配器和电池充电器中的初级侧开关。
    2. 电机驱动: 可以在直流电机驱动器中作为高效开关使用。
    使用建议:
    - 确保 PCB 布局合理,特别是在高频操作时避免寄生电感影响。
    - 根据不同的应用场景,优化散热设计,确保在高温环境下也能正常工作。
    - 使用适当的驱动电路,确保栅极信号的快速建立和释放,提高开关速度。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该 MOSFET 可以与其他常见的 TO-252 封装的产品互换使用。
    - 支持和服务: VBsemi 提供专业的技术支持,用户可以通过 400-655-8788 联系客户服务,获取产品使用和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中出现发热严重。
    - 解决办法: 检查电路布局,优化散热设计;确保有足够的散热片。
    - 问题: 寿命较短。
    - 解决办法: 确保操作条件不超过绝对最大额定值;定期进行设备检测和维护。

    总结和推荐


    总体来看,N-Channel 200 V MOSFET(型号为IRLR220TF)是一款出色的功率器件,尤其适用于需要高效、高可靠性开关的应用场合。其低导通电阻和高温耐受能力使其在众多应用中表现出色。对于需要高效率和稳定性的工作环境,强烈推荐使用这款 MOSFET。

IRLR220TF-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 200V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 245mΩ@10V,368mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.06V
Id-连续漏极电流 10A
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLR220TF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLR220TF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLR220TF-VB IRLR220TF-VB数据手册

IRLR220TF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
2500+ ¥ 2.1526
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