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IRFI9Z34N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-12A,RDS(ON),100mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: IRFI9Z34N-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFI9Z34N-VB

IRFI9Z34N-VB概述

    IRFI9Z34N-VB P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRFI9Z34N-VB 是一种P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的性能和可靠性。这种MOSFET 主要用于负载开关应用,例如电源管理和电机控制。其关键特点是采用先进的TrenchFET®技术,能够提供低导通电阻和高电流能力,适用于多种工业和消费电子领域。

    技术参数


    以下是该MOSFET的主要技术规格:
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): -60V
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)): -1.0V 至 -3.0V
    - 零栅压漏电流 (IDSS): -1 µA
    - 导通状态漏源电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10V, ID = -5A时为0.150Ω(TJ = 125°C)
    - VGS = -10V, ID = -5A时为0.200Ω(TJ = 175°C)
    - 持续漏电流 (ID): -20A(TJ = 175°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM): -60A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 7.2mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 30W(TJ = 25°C)
    - 工作温度范围 (Tj, Tstg): -55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    IRFI9Z34N-VB 的主要优势在于其高可靠性及高性能。具体特点如下:
    - TrenchFET®技术:采用先进的制造工艺,显著降低导通电阻,提升整体效率。
    - 100% UIS测试:确保产品在极端条件下的稳定性和可靠性。
    - 宽工作温度范围:能够在极端环境下正常工作,适合各种恶劣的应用环境。
    - 快速开关速度:低栅电荷使得开关速度更快,减少了开关损耗,进一步提升了能效。

    应用案例和使用建议


    IRFI9Z34N-VB 广泛应用于负载开关、电源管理等领域。例如,在电机控制中,它可有效减少功率损耗,提高系统效率;在直流/直流转换器中,可以作为高效的开关元件。针对这些应用场景,建议用户根据具体的工作环境和要求选择合适的参数配置,以达到最佳效果。

    兼容性和支持


    IRFI9Z34N-VB 采用标准的TO-220封装,易于集成到现有电路设计中。此外,VBsemi公司提供了全面的技术支持和维护服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    在使用IRFI9Z34N-VB的过程中,用户可能会遇到以下问题:
    - Q1: MOSFET发热严重,导致损坏。
    A1: 检查散热措施是否充分,必要时增加散热片或风扇以提高散热效果。

    - Q2: 开关速度慢,影响系统效率。
    A2: 确认驱动电路是否匹配,适当增加栅极驱动电流以加快开关速度。

    总结和推荐


    总体而言,IRFI9Z34N-VB凭借其卓越的性能和可靠性,适用于多种工业和消费电子应用。它具备低导通电阻、高可靠性和快速开关速度等优点,是许多工程师和设计师的理想选择。强烈推荐使用IRFI9Z34N-VB以实现高效和可靠的电路设计。

IRFI9Z34N-VB参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,125mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 12A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个P沟道
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFI9Z34N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFI9Z34N-VB数据手册

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IRFI9Z34N-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
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