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IRLS510A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: IRLS510A-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLS510A-VB

IRLS510A-VB概述


    产品简介


    IRLS510A-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道100V(漏源)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种MOSFET主要应用于需要高电压隔离的应用场景中,如开关电源、马达控制、电池管理和LED驱动等领域。其独特的设计提供了高可靠性、低热阻和动态耐压能力,使其在严苛的工作环境中表现出色。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDS): 100V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 持续漏极电流 (TC = 25°C): 18A (TC = 100°C): 12A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 68A
    - 最大功耗 (TC = 25°C): 48W
    - 峰值二极管恢复电压 (dV/dt): 5.5V/ns
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 100V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 1.0 - 3.0V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 25µA (VDS = 80V)
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.086Ω (VGS = 10V, ID = 10A)
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 1700pF (VGS = 0V, VDS = 25V)
    - 输出电容 (Coss): 560pF
    - 反向转移电容 (Crss): 120pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 72nC
    - 其他参数:
    - 热阻 (RthJA): 65°C/W
    - 瞬态热阻 (RthJC): 3.1°C/W
    - 最大存储温度范围 (Tj, Tstg): -55至+175°C

    产品特点和优势


    - 隔离封装: IRLS510A-VB 具有高电压隔离能力(2.5 kVRMS),确保了在高电压环境下工作的安全性。
    - 低热阻: 热阻设计使得其能够在高温环境下稳定运行,避免因过热导致的性能下降。
    - 宽工作温度范围: 其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,适合在各种极端环境中使用。
    - 动态耐压能力: 动态 dV/dt 评级使其能够在快速变化的电压条件下可靠工作。
    - 铅(Pb)-free: 符合RoHS标准,环保无铅。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: IRLS510A-VB 适用于多种应用场景,如开关电源、电机驱动、电池管理等。例如,在开关电源中,它能够提供高效的能量转换,保证系统稳定运行。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,注意散热设计,以确保长期稳定运行。
    - 在高频率应用中,考虑到电容和电感的影响,应选择合适的栅极电阻以优化开关性能。
    - 使用过程中要注意其最大功耗限制,避免长时间超过额定值运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IRLS510A-VB 兼容各种通用的MOSFET驱动器,易于集成到现有系统中。
    - 支持和服务: 台湾VBsemi提供全面的技术支持,包括产品咨询、故障诊断和维修服务。可通过其官方服务热线 400-655-8788 获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 过高的栅源电压会导致损坏。
    - 解决方案: 严格按照数据手册中的规定使用,确保VGS不超过±20V。
    - 问题2: 设备发热严重。
    - 解决方案: 加强散热措施,如使用散热片或风扇,确保工作温度不超过175°C。
    - 问题3: 电路无法正常启动。
    - 解决方案: 检查电路连接是否正确,尤其是栅极和源极之间的连接,确认是否有短路或断路。

    总结和推荐


    总体而言,IRLS510A-VB 是一款高性能的N沟道100V MOSFET,具备高电压隔离、低热阻和宽温范围等特点,非常适合在高可靠性要求的应用中使用。推荐用户在设计开关电源、电机驱动和其他需要高电压和高可靠性应用的电路时考虑使用此产品。同时,建议在使用前仔细阅读技术手册并遵循厂家的指导,以确保最佳性能和稳定性。

IRLS510A-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRLS510A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLS510A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLS510A-VB IRLS510A-VB数据手册

IRLS510A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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