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2N120-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,25A,RDS(ON),54mΩ@10V,112mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 2N120-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2N120-VB

2N120-VB概述


    产品简介


    产品类型: N-Channel MOSFET(N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能: 用于电力电子转换、开关电源和其他需要高效率和高性能的电路中
    应用领域: 主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动器、服务器电源、工业控制等领域

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) | 200 | - | - | V |
    | 栅极阈值电压(VGS(th)) | 2 | 4 | - | V |
    | 栅极体漏电流(IGSS) | -100 | - | 100 | nA |
    | 漏极电流(ID(on)) | - | 40 | - | A |
    | 导通电阻(RDS(on)) | - | 0.055 | - | Ω |
    | 零栅压漏电流(IDSS) | 1 | 50 | 250 | µA |
    | 前向跨导(gfs) | - | 35 | - | S |
    | 输入电容(Ciss) | 1800 | - | - | pF |
    | 输出电容(Coss) | 180 | - | - | pF |
    | 反向传输电容(Crss)| 80 | - | - | pF |
    | 总栅极电荷(Qg) | - | 34 | 51 | nC |
    | 栅源电荷(Qgs) | - | 8 | - | nC |
    | 栅漏电荷(Qgd) | - | 12 | - | nC |
    | 栅极电阻(Rg) | 0.5 | - | 2.9 | Ω |
    | 开启延迟时间(td(on)) | 15 | - | 25 | ns |
    | 上升时间(tr) | 50 | - | 75 | ns |
    | 关闭延迟时间(td(off))| 30 | - | 45 | ns |
    | 下降时间(tf) | 60 | - | 90 | ns |

    产品特点和优势


    1. 高温度稳定性: 能在高达175°C的结温下工作,适合高温环境。
    2. PWM优化: 适用于脉冲宽度调制(PWM)电路。
    3. 严格的测试标准: 100%的栅极电阻测试,保证了产品的可靠性和一致性。
    4. 符合环保要求: 符合RoHS标准,适用于绿色环保电子产品。
    5. 高可靠性: 通过严格的绝对最大额定值限制,确保长时间稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    该N-Channel MOSFET常用于各类电源转换和电机驱动场合。例如,在数据中心的服务器电源系统中,其高效率和稳定的性能可以显著提高系统的整体能效。
    使用建议:
    1. 散热管理: 使用时应注意良好的散热设计,避免过热。
    2. 参数选择: 在设计电路时,应仔细选择合适的栅极电阻值,以减少开关损耗。
    3. 安全操作范围: 注意不要超出绝对最大额定值,以免对器件造成永久损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 此产品可与其他多种电子元件和系统兼容,适配广泛的应用场景。
    - 技术支持: 提供详细的安装指南和技术文档,可通过服务热线400-655-8788获得专业的技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热 | 降低开关频率,增加散热措施 |
    | 高频信号干扰导致误动作 | 加强屏蔽措施,降低外部干扰 |
    | 长期运行后性能下降 | 定期检查,保持良好的工作环境 |
    | 环境温度过高导致异常 | 改善散热条件,使用散热器等 |

    总结和推荐


    综合评估:
    这款N-Channel MOSFET在高温环境下表现出色,且具有高可靠性、低损耗等显著优势。特别适用于需要高效能、高温度稳定性的场合。此外,它的环保属性也使其成为现代绿色电子产品的理想选择。
    推荐结论:
    鉴于上述优点和良好的市场表现,强烈推荐此款产品用于需要高效能和高可靠性电子设备的设计和开发。

2N120-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 25A
Vds-漏源极击穿电压 200V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 54mΩ@10V,112mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2N120-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2N120-VB数据手册

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2N120-VB封装设计

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