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JCS5N60FB-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: JCS5N60FB-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS5N60FB-O-F-N-B-VB

JCS5N60FB-O-F-N-B-VB概述


    产品简介


    JCS5N60FB-O-F-N-B-VB是一款N沟道功率MOSFET,具有650V的耐压能力。它主要用于电源转换、电机控制及通信设备等领域,因其高可靠性、低栅极电荷和出色的开关性能而备受青睐。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):650V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0V ~ 4.0V
    - 栅源漏电流(IGSS):±100nA @ VGS = ±30V
    - 导通电阻(RDS(on)):2.5Ω @ VGS = 10V
    - 总栅极电荷(Qg):48nC
    - 栅源电荷(Qgs):12nC
    - 栅极驱动电容(Qgd):19nC
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):325mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):4A
    - 重复雪崩能量(EAR):6mJ
    - 最大结温(TJ):-55°C ~ +150°C
    - 线性降额系数:0.48W/°C

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:JCS5N60FB-O-F-N-B-VB具有低栅极电荷,降低了驱动要求,使得驱动电路更加简单。
    2. 增强的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性:产品具备出色的电气特性和耐用性,能够在高电压和大电流条件下稳定工作。
    3. 全范围的电容和雪崩电压电流特性:通过全面测试和验证,确保了产品的可靠性和稳定性。
    4. 符合RoHS标准:该产品符合欧盟RoHS指令,无有害物质,环保可靠。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换器:利用其高耐压能力和低栅极电荷,适用于高效电源转换。
    - 电机控制器:在电机控制领域,可以减少驱动复杂度,提高效率。
    - 通信设备:在需要高可靠性的通信设备中,能有效提高系统稳定性。
    使用建议:
    - 确保栅极电压在±30V范围内,避免电压过高导致损坏。
    - 在设计驱动电路时,考虑其低栅极电荷的特点,简化驱动需求。
    - 在高电流和高温环境下,注意散热,防止过热。

    兼容性和支持


    JCS5N60FB-O-F-N-B-VB采用TO-220 FULLPAK封装,与大多数工业标准设备兼容。VBsemi提供详尽的技术支持和售后服务,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的栅极驱动电压?
    - 解决办法:推荐使用10V作为栅极驱动电压,以保证最低的导通电阻和良好的开关性能。

    - 问题2:如何处理过高的结温?
    - 解决办法:增加散热措施,如使用散热片或风扇,确保温度在-55°C ~ +150°C的安全范围内。

    总结和推荐


    JCS5N60FB-O-F-N-B-VB以其卓越的电气特性和可靠性,在众多应用场景中表现出色。特别是在高电压、大电流和高温度环境下,依然能够保持稳定的性能。因此,强烈推荐在各类电力电子应用中使用该产品。如果需要进一步的支持和技术咨询,可联系VBsemi的服务热线400-655-8788。

JCS5N60FB-O-F-N-B-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS5N60FB-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS5N60FB-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS5N60FB-O-F-N-B-VB JCS5N60FB-O-F-N-B-VB数据手册

JCS5N60FB-O-F-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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