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2SK2094TL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252\n用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
供应商型号: 2SK2094TL-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2094TL-VB

2SK2094TL-VB概述

    # N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    本产品是一款由台湾VBsemi推出的N-Channel 60V(漏源电压)MOSFET,型号为2SK2094TL。该产品采用先进的TrenchFET®技术,适用于直流到直流转换器、直流到交流逆变器及电机驱动等领域。其卓越的电气特性和紧凑设计使其成为高性能功率管理解决方案的理想选择。
    主要特点:
    - TrenchFET® Power MOSFET:先进的制造工艺提升了效率和可靠性。
    - UIS测试与Rg全面检测:确保每颗芯片在极限条件下仍能稳定工作。
    - 适用材料分类合规:符合RoHS和无卤素标准,满足环保要求。

    技术参数


    以下是该产品的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | 3.0 | - | V |
    | 导通电阻(10V) | RDS(on) | 0.073 | - | - | Ω |
    | 额定连续漏极电流 | ID | 18 | - | - | A |
    | 极限脉冲漏极电流 | IDM | 25 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | 15 | - | - | A |
    | 结至环境热阻抗 | RthJA | 60 | - | - | °C/W |

    产品特点和优势


    特点:
    - 高效率:低导通电阻(典型值0.073Ω),有效减少功耗。
    - 强健的结构:100% UIS和Rg测试确保在恶劣条件下的稳定性。
    - 宽工作温度范围:从-55℃到+150℃,适合多种复杂环境。
    优势:
    - 高集成度:通过先进的TrenchFET®技术实现更高的功率密度。
    - 高可靠性:严格的UIS和Rg测试保证了产品的长期可靠性。
    - 环保友好:符合RoHS和无卤素标准,符合全球环保趋势。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. DC/DC转换器:用于电源管理和电压调节。
    2. 电机驱动:提供高效的电流控制,适合工业自动化场景。
    3. 逆变器:用于光伏系统或UPS设备,实现高效的能量转换。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意散热措施,避免因过热导致性能下降。
    - 设计时应充分考虑电路布局,确保漏极和源极的良好连接以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可广泛应用于各种主流电路板设计,特别是支持TO-252封装的标准接口。
    - 支持:VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速上手并解决问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏电流过大 | 检查是否存在静电放电现象,适当增加滤波电容。 |
    | 开关损耗高 | 确保驱动电阻合适,优化驱动电路设计。 |
    | 过温保护触发 | 检查散热片是否安装正确,改善通风条件。 |

    总结和推荐


    综合评估:
    2SK2094TL凭借其优异的技术参数和广泛的适用性,在多个关键领域表现出色。特别是在高效能需求的应用场景中,该产品的表现尤为突出。
    推荐意见:
    强烈推荐给需要高效率、高可靠性的设计师和技术人员。无论是作为核心组件还是辅助元件,2SK2094TL都能提供卓越的支持,助力项目成功。
    如有进一步疑问或需要技术支持,请随时联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

2SK2094TL-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 18A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@10V,85mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK2094TL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2094TL-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2094TL-VB 2SK2094TL-VB数据手册

2SK2094TL-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.36
100+ ¥ 1.2593
500+ ¥ 1.2089
2500+ ¥ 1.1586
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
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型号 价格(含增值税)
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