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K416-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252\n用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
供应商型号: K416-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K416-VB

K416-VB概述

    N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 是一种高效的功率场效应晶体管(Power MOSFET),其核心特性包括TrenchFET®技术。该产品适用于各种高可靠性电子系统的设计,特别是在直流/直流转换器、直流/交流逆变器以及电机驱动等领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 漏极连续电流 (ID): 18 A (TC=25°C), 14 A (TC=70°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 25 A (t ≤ 300 µs)
    - 绝对最大功率耗散 (PD): 41.7 W (TC=25°C), 2.1 W (TA=25°C)
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 150°C
    - 电气特性
    - 阈值电压 (VGS(th)): 1.0 - 3.0 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 1 μA (VDS=60 V, VGS=0 V)
    - 导通状态电阻 (RDS(on)):
    - 0.073 Ω (VGS=10 V, ID=6.6 A)
    - 0.085 Ω (VGS=4.5 V, ID=6 A)
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 660 pF (VDS=30 V, VGS=0 V, f=1 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 85 pF
    - 门电荷 (Qg): 19.8 nC (VDS=30 V, VGS=10 V, ID=6.6 A)
    - 热阻参数
    - 结至环境热阻 (RthJA): 60 °C/W (PCB安装)
    - 结至外壳热阻 (RthJC): 3 °C/W

    产品特点和优势


    N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 具有多项显著的优势:
    - 高效能:采用TrenchFET®技术,具备低导通电阻,提高了工作效率。
    - 高可靠性:100% Rg 和UIS测试保证了其长期稳定运行。
    - 广泛适用性:适用于多种电路设计,特别是高频应用场合。
    - 优越的散热能力:结合低热阻参数,使得器件在高温环境中仍能保持良好性能。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET常用于直流/直流转换器、直流/交流逆变器和电机驱动等领域。具体应用如下:
    - 直流/直流转换器:可用于电源转换模块,提供高效能转换。
    - 直流/交流逆变器:应用于新能源汽车或UPS不间断电源系统中。
    - 电机驱动:可用于工业控制领域的电机驱动电路。
    使用建议:
    - 确保散热良好,避免因过热导致损坏。
    - 设计时应注意输入和输出电容的选择,以匹配MOSFET的动态特性。

    兼容性和支持


    该产品与其他标准电子元件兼容,如标准PCB布局和相关接口。制造商提供了全面的技术支持,包括详尽的产品文档和在线咨询服务,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET在高温下工作异常。
    - 解决方案:确保良好的散热措施,可采用散热片或风扇辅助降温。

    - 问题:导通电阻过高。
    - 解决方案:检查栅极驱动电压是否符合要求,适当提高驱动电压。

    总结和推荐


    N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 具备高性能和高可靠性,适用于多种应用场景,特别是需要高效率转换的场合。其独特的技术和特性使其在市场上具有很强的竞争力。总体而言,我们强烈推荐此款MOSFET用于需要高效能、高可靠性的电子系统设计中。

K416-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@10V,85mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 18A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K416-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K416-VB数据手册

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K416-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.36
100+ ¥ 1.2593
500+ ¥ 1.2089
2500+ ¥ 1.1586
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