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FDT86106LZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,5A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT223-3
供应商型号: FDT86106LZ-VB SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDT86106LZ-VB

FDT86106LZ-VB概述

    FDT86106LZ 100-V (D-S) MOSFET 产品技术手册

    产品简介


    FDT86106LZ 是一款采用 SOT-223 封装的 N-Channel MOSFET(场效应晶体管)。其主要特点包括低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力和优良的热性能。此产品适用于多种应用场景,如电源管理、电机驱动、直流转换等领域。该器件符合RoHS标准和无卤素要求,使其成为绿色电子产品的首选。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 100V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10V 下,ID = 6.0A 时为 0.110Ω
    - 在 VGS = 4.5V 下,ID = 3.1A 时为 0.120Ω
    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - TA = 25°C 下为 5.0A
    - TA = 70°C 下为 3.5A
    - 最大栅极电压 (VGS): ±20V
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 15A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TA = 25°C 下为 3.3W
    - TA = 70°C 下为 2.3W
    - 最高工作温度 (TJ, Tstg): -55°C 到 175°C
    - 热阻 (RthJA): 最大值为 45°C/W
    - 封装尺寸: SOT-223
    - 无卤素: 符合 IEC 61249-2-21 定义

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): 即使在高温条件下,依然能够保持较低的导通电阻,从而降低功耗并提高效率。
    - 高耐压能力: 最大额定电压达100V,适用于多种高电压应用。
    - 良好的热性能: 具备优秀的散热设计,使得器件能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
    - 无卤素设计: 绿色环保,适用于各类需要符合RoHS标准的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理: 由于其低导通电阻和高耐压特性,该器件非常适合用于电源转换和稳压应用,有助于提高系统效率。
    - 电机驱动: 高耐压和大电流处理能力使其适用于驱动各种类型的电动机。
    - DC-DC 转换器: 该器件的低导通电阻可以显著降低损耗,提升整体转换效率。
    使用建议:
    - 散热管理: 为了确保最佳性能,需要合理设计散热方案,尤其是对于连续高电流应用。
    - 电路布局: 注意器件的正确放置和布线,避免因布局不当导致不必要的寄生电容和电感。

    兼容性和支持


    - 兼容性: FDT86106LZ 可以与其他常见的 N-Channel MOSFET 管脚兼容,便于替换现有设计中的同类产品。
    - 技术支持: VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的使用指南和技术文档,帮助客户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备在高电流下出现过热。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,必要时增加外部散热片或使用散热膏。

    - 问题2: 导通电阻偏高,影响系统效率。
    - 解决方案: 检查电路设计和布线,确认是否有额外的寄生电阻存在。调整 VGS 设置,确保达到最优导通状态。

    总结和推荐


    FDT86106LZ是一款出色的N-Channel MOSFET,具备出色的耐压能力和低导通电阻,广泛应用于电源管理和电机驱动等高可靠性应用场合。其优异的热性能和无卤素设计进一步增强了其市场竞争力。总体来说,这款产品值得高度推荐。
    以上是对 FDT86106LZ 的全面解析,希望可以帮助您更好地了解该产品的特性和应用场景。如果您有任何疑问或需要更多详细资料,请联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

FDT86106LZ-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDT86106LZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDT86106LZ-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDT86106LZ-VB FDT86106LZ-VB数据手册

FDT86106LZ-VB封装设计

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