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NCE3080IA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,100A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.76Vth(V) 封装:TO251\n该产品是单N沟道MOSFET,具有高性能、低损耗和稳定性的特点,适用于各种高功率和高频率控制的场合,能够满足电动工具、工业高频电源和电动汽车充电桩等领域的需求。
供应商型号: NCE3080IA-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE3080IA-VB

NCE3080IA-VB概述

    NCE3080IA N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NCE3080IA 是一款高性能的N沟道30伏特(漏源电压)MOSFET,专为高效能电源管理和转换应用设计。它采用先进的TrenchFET®工艺制造,具备高可靠性、低导通电阻和高开关速度的特点。主要功能包括高电流处理能力、优异的热性能和良好的栅极电荷特性,使其广泛应用于服务器、OR-ing二极管、DC/DC转换器等领域。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = 10 \text{ V}, ID = 38.8 \text{ A} \) 时为 \( 0.0035 \Omega \)
    - 在 \( V{GS} = 4.5 \text{ V}, ID = 37 \text{ A} \) 时为 \( 0 \Omega \)
    - 连续漏极电流 \( ID \):
    - 在 \( TJ = 175 °C \) 时为 100 A(\( TC = 25 °C \))
    - 总栅极电荷 \( Qg \):
    - 在 \( V{DS} = 15 \text{ V}, ID = 38.8 \text{ A} \) 时为 171 nC
    - 在 \( V{DS} = 15 \text{ V}, ID = 28.8 \text{ A} \) 时为 81.5 nC
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): \( \pm 20 \text{ V} \)
    - 连续漏极电流 \( ID \): 100 A(\( TC = 25 °C \))
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 197 A
    - 最大耗散功率 \( PD \):
    - 在 \( TC = 25 °C \) 时为 250 W
    - 在 \( TC = 70 °C \) 时为 175 W
    - 工作结温范围 \( T{J, T{stg}} \): -55 °C 到 175 °C

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:\( R{DS(on)} \) 低至 \( 0.0035 \Omega \),确保高效的电力传输和降低功耗。
    - 高可靠性:100% 测试通过 Rg 和 UIS,符合 RoHS 标准。
    - 快速开关速度:总栅极电荷低,可实现高速开关操作,提高效率。
    - 良好热性能:低热阻设计,保证在高温环境下的稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器应用:NCE3080IA 适用于高电流要求的服务器电源系统,提供高效的电源管理。
    - OR-ing 二极管:利用其高电流处理能力和低导通电阻,减少能量损耗,提升整体系统效率。
    - DC/DC 转换器:适合高频率开关应用,降低开关损耗,提高转换效率。
    使用建议:
    - 确保在正确的栅源电压范围内操作以避免过高的漏极电流。
    - 使用散热片或外部冷却系统以保持结温在安全范围内,特别是在高电流条件下。
    - 注意电路板设计,合理安排散热路径以避免热点。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NCE3080IA 可以与其他标准组件配合使用,例如不同品牌的驱动器和保护电路。
    - 支持:厂商提供详细的技术文档和客户支持,以确保用户能够充分利用其特性并解决可能出现的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的漏极电流导致结温过高。
    - 解决方案:增加散热片或使用外部冷却系统来降低结温,同时检查电路设计,确保电流在安全范围内。

    - 问题2:开关速度较慢。
    - 解决方案:检查驱动器配置,确保提供足够的栅极驱动电流,降低栅极电容,选择合适的外接电阻 \( Rg \)。

    7. 总结和推荐


    NCE3080IA 的综合表现非常出色,具备优秀的低导通电阻、高电流处理能力和高可靠性,特别适合高要求的应用环境。其独特的设计使得它在服务器、OR-ing 二极管和 DC/DC 转换器等领域的表现尤为突出。强烈推荐使用 NCE3080IA 作为高效能电源管理和转换应用的理想选择。

NCE3080IA-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.76V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 100A
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NCE3080IA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE3080IA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE3080IA-VB NCE3080IA-VB数据手册

NCE3080IA-VB封装设计

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