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UT2305L-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: UT2305L-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2305L-AE3-R-VB

UT2305L-AE3-R-VB概述

    UT2305L-AE3-R P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT2305L-AE3-R 是一款高性能的P沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TO-236/SOT-23封装。它主要适用于移动计算领域,如负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器等。这种类型的MOSFET因其卓越的电气特性和紧凑的设计而被广泛应用于各种高效率的电源管理和控制系统中。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | -30 | V |
    | 漏极连续电流(TJ = 150 °C) | ID | - | - | -5.6 | A |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.046(VGS=-10V)| - | Ω |
    | 门限电压 | VGS(th) | - | -2.0 | -0.5 | V |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1295 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 150 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | 130 | - | pF |
    | 门总电荷 | Qg | - | 11.4~36 | - | nC |
    | 额定功率损耗 | PD | - | - | 2.5 | W |

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:采用TrenchFET® Power MOSFET技术,确保产品具备卓越的可靠性和稳定性。
    2. 低导通电阻:典型值仅为0.046Ω(VGS=-10V),这使得在较高电流下能保持较低的功耗。
    3. 快速开关性能:具有快速的开关延迟时间和上升时间,有助于提高电路的响应速度和整体效率。
    4. 广泛的温度范围:能够在-55到150℃的环境中稳定工作,适合严苛的应用条件。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:在电池供电的便携设备中,该MOSFET可以高效地控制负载,延长电池寿命。
    - 笔记本适配器开关:提供稳定且高效的电源管理,减少能耗。
    - DC/DC转换器:适用于高效能的电源系统,确保电力传输的稳定性。
    使用建议:
    - 在选择MOSFET时,应注意其工作环境温度和电流需求,确保选型符合实际应用要求。
    - 配置合理的散热设计,避免因过热导致性能下降或损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与多种其他电子元器件兼容,具体细节可参考技术手册。
    - 支持:提供详尽的技术支持和售后服务,客户可通过服务热线400-655-8788获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品运行时发热严重。
    解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或使用外部风扇进行辅助冷却。
    2. 问题:工作时噪声较大。
    解决方案:可能是因为驱动信号不稳定,尝试调整驱动电路,确保稳定的驱动信号。

    总结和推荐


    UT2305L-AE3-R 是一款非常优秀的P沟道30V MOSFET,以其低导通电阻、快速开关性能和广泛的工作温度范围,在移动计算和其他电源管理系统中表现出色。总体而言,推荐给需要高效率和可靠性的应用场合。

UT2305L-AE3-R-VB参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5.6A
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
FET类型 1个P沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2305L-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2305L-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2305L-AE3-R-VB UT2305L-AE3-R-VB数据手册

UT2305L-AE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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型号 价格(含增值税)
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