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J486ZU-TL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: J486ZU-TL-E-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J486ZU-TL-E-VB

J486ZU-TL-E-VB概述

    P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册介绍的是VBsemi公司生产的P-Channel 30V MOSFET(型号:J486ZU-TL-E)。这是一种沟槽式场效应晶体管(TrenchFET® Power MOSFET),适用于移动计算中的负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器等领域。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\):30V(\(V{GS} = 0\), \(ID = -250 \mu A\))
    - 门极-源极阈值电压 \(V{GS(th)}\):-0.5V 至 -2.0V(\(V{DS} = V{GS}\), \(ID = -250 \mu A\))
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 \(ID\):-5.6A(\(TC = 25^\circ C\))
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\):-18A(脉冲宽度≤100μs, 占空比≤2%)
    - 连续源极-漏极二极管电流 \(IS\):-2.1A(\(TC = 25^\circ C\))
    - 电阻参数
    - 导通状态漏源电阻 \(R{DS(on)}\):0.046Ω(\(V{GS} = -10 V\), \(ID = -4.4 A\))
    - 热阻抗参数
    - 最大结到环境热阻 \(R{thJA}\):100°C/W(最大)
    - 最大结到脚(漏)稳态热阻 \(R{thJF}\):50°C/W(最大)
    - 电容参数
    - 输入电容 \(C{iss}\):1295pF(\(V{DS} = -15 V\), \(V{GS} = 0 V\), \(f = 1 MHz\))
    - 输出电容 \(C{oss}\):150pF(\(V{DS} = -15 V\), \(V{GS} = 0 V\), \(f = 1 MHz\))

    产品特点和优势


    这款P-Channel 30V MOSFET具有以下显著特点和优势:
    - 高可靠性:100% Rg测试保证了其高可靠性。
    - 低导通电阻:其在各种电压下的导通电阻很低,适合在高效率的开关电源应用中使用。
    - 宽工作温度范围:其操作结温范围为-55°C至150°C,适合在极端环境下使用。
    - 快速开关性能:拥有较低的开关损耗,适用于需要高频工作的场合。

    应用案例和使用建议


    这款MOSFET非常适合用于移动计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器。在实际使用中,建议用户根据具体的应用场景选择合适的散热措施,以避免过热导致器件损坏。此外,在设计电路时应确保驱动信号符合器件的额定参数,以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    本产品采用标准的SOT-23封装形式,具有良好的兼容性,可与其他多种封装类型的元器件共用。厂商提供详细的技术支持,包括产品手册和技术咨询服务,以帮助客户解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下工作时,MOSFET性能下降。
    - 解决办法:增加散热措施,例如使用散热片或者风扇来提高散热效率。

    - 问题2:开关速度慢。
    - 解决办法:检查驱动信号是否符合要求,尝试减小门极电阻(Rg)以提高开关速度。

    总结和推荐


    总体来看,VBsemi的P-Channel 30V MOSFET在高效率和高性能方面表现出色,适用于多种应用场景。其广泛的温度范围和低导通电阻使其成为高可靠性的理想选择。推荐在需要高效能和高可靠性的应用中使用此款MOSFET。
    本手册所提供的信息对设计和使用该MOSFET提供了详细的指导和支持。希望这些信息能帮助您更好地了解并应用这款先进的电子元件。

J486ZU-TL-E-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 5.6A
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J486ZU-TL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J486ZU-TL-E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J486ZU-TL-E-VB J486ZU-TL-E-VB数据手册

J486ZU-TL-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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