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85T03GH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252 该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: 85T03GH-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 85T03GH-VB

85T03GH-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET
    本产品是一款采用TrenchFET®技术的N沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于OR-ing、服务器及DC/DC转换器等领域。该MOSFET具备高可靠性、低导通电阻等特点,能够满足各类电源管理和电流控制的需求。

    技术参数


    主要技术规格
    - 额定电压 (VDS): 30V
    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C: 100A
    - TC = 70°C: 80A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 300A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 94.8mJ
    - 最大正向体二极管电流 (ISM): 120A
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V时: 0.002Ω
    - VGS = 4.5V时: 0Ω
    - 输入电容 (Ciss): 520pF
    - 输出电容 (Coss): 1525pF
    - 反向传输电容 (Crss): 770pF
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VGS = 10V时: 151nC
    - VGS = 4.5V时: 71.5nC
    - 门极至源极电荷 (Qgs): 30nC
    - 门极至漏极电荷 (Qgd): 24nC
    - 栅极电阻 (Rg): 1.4Ω
    工作条件
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 最高工作温度 (TJ, Tstg): -55°C到175°C

    产品特点和优势


    - TrenchFET®技术: 高效且低功耗的设计,使该MOSFET具有较低的导通电阻和较高的功率密度。
    - RoHS合规: 完全符合RoHS标准,适用于环保要求高的应用场景。
    - 全面测试: 包括Rg和UIS测试,确保产品的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - OR-ing应用: 在电源系统中实现电源路径的选择和切换。
    - 服务器: 提供高效稳定的电流控制,适用于数据中心和服务器的电源管理。
    - DC/DC转换器: 提供低损耗和高效率的电压转换。
    使用建议
    - 散热设计: 考虑到高温下的工作性能,建议在安装时进行有效的散热设计,以提高长期稳定性。
    - 参数匹配: 确保所选MOSFET的工作条件与应用电路中的其他元器件相匹配,避免不必要的过载情况。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与大多数主流服务器和电源系统兼容,易于集成。
    - 厂商支持: 台湾VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决技术问题。

    常见问题与解决方案


    问题1: 导通电阻过高
    - 解决方案: 检查工作温度是否超出规定范围,确认是否有适当的散热措施。
    问题2: 超出绝对最大额定值
    - 解决方案: 避免长时间超过绝对最大额定值工作,定期检查并调整系统配置。
    问题3: 栅极电阻偏高
    - 解决方案: 调整栅极电阻至推荐值范围内,确保MOSFET正常工作。

    总结和推荐


    总体来看,这款N-Channel 30-V MOSFET凭借其卓越的性能和广泛的应用领域,非常适合在需要高效电源管理的场合中使用。其可靠的TrenchFET®技术、低导通电阻和良好的热性能使其在市场上具备显著的竞争优势。此外,台湾VBsemi提供的技术支持和服务也极大地提升了该产品的用户友好度。因此,我们强烈推荐该产品用于需要高性能和可靠性的电力应用中。

85T03GH-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 100A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

85T03GH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

85T03GH-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 85T03GH-VB 85T03GH-VB数据手册

85T03GH-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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起订量: 15 增量: 2500
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型号 价格(含增值税)
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