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IPP065N06LG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220 在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
供应商型号: IPP065N06LG-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP065N06LG-VB

IPP065N06LG-VB概述

    IPP065N06L G-VB N-Channel 60V (D-S) MOSFET

    1. 产品简介


    IPP065N06L G-VB 是一种高性能的 N 沟道 60V(D-S)MOSFET,适用于各种电子设备。它采用了先进的 TrenchFET® 技术,具备出色的电气特性和可靠性。本产品适用于工业控制、电源管理、电机驱动等领域,是高效率和高可靠性的理想选择。

    2. 技术参数


    IPP065N06L G-VB 的主要技术参数如下:
    - 最大工作电压 (VDS):60V
    - 最大连续漏极电流 (ID):120A
    - 最大源极电流 (IS):70A
    - 最大单次雪崩能量 (EAS):125mJ
    - 最大漏极脉冲电流 (IDM):350A
    - 最大功率耗散 (PD):136W (TA = 25°C)
    - 热阻 (RthJA):15-18°C/W
    - 热阻 (RthJC):0.85-1.1°C/W
    - 阈值电压 (VGS(th)):2-4V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):1μA (VDS = 60V)
    - 导通电阻 (RDS(on)):5mΩ (VGS = 10V)
    - 最大工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 反向恢复时间 (tr):45-100ns
    - 输入电容 (Ciss):680pF (VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz)

    3. 产品特点和优势


    IPP065N06L G-VB 具有以下几个显著的特点和优势:
    - 高耐温性:工作温度范围宽达 -55°C 至 175°C,适应各种严苛的工作环境。
    - 高可靠性:采用 TrenchFET® 技术,具有卓越的抗雪崩能力和高功率耗散能力。
    - 低导通电阻:在 VGS = 10V 时,导通电阻仅为 5mΩ,实现高效的电力转换。
    - 快速开关性能:短路和开路时间分别为 1-20ns 和 35-50ns,适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    IPP065N06L G-VB 可用于多种应用场合,如:
    - 工业控制:用于电机驱动、开关电源等控制系统中。
    - 电源管理:适用于 DC-DC 转换器、逆变器等电源管理设备。
    - 电机驱动:用于电动工具、电动车等需要高效电机驱动的应用。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,确保散热良好,避免因过热导致损坏。
    - 使用合适的栅极电阻,以优化开关性能和减少电磁干扰。

    5. 兼容性和支持


    IPP065N06L G-VB 支持 TO-220AB 封装标准,可方便地安装在标准 PCB 上。厂商提供详尽的技术支持文档和热线服务,帮助用户解决应用中的技术问题。如有需要,可联系厂商获取更多技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何优化散热?
    - 解决方案:使用大尺寸散热片,并确保良好的空气流通。如果条件允许,可以考虑使用水冷或相变材料。

    - 问题:如何减少电磁干扰?
    - 解决方案:使用合适的栅极电阻,尽量减小开关时间。另外,可以通过增加滤波电路来减少干扰。

    7. 总结和推荐


    IPP065N06L G-VB 是一款性能优异、可靠性高的 N 沟道 MOSFET。它适用于各种工业控制和电源管理应用,特别是在需要高效电力转换和高耐温性的场合。凭借其卓越的性能和广泛的应用范围,强烈推荐给需要高效率和高可靠性的用户。
    服务热线:400-655-8788
    以上是对 IPP065N06L G-VB 的详细介绍,希望对您有所帮助。

IPP065N06LG-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 120A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,44mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP065N06LG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP065N06LG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP065N06LG-VB IPP065N06LG-VB数据手册

IPP065N06LG-VB封装设计

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