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JCS8N60FB-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: JCS8N60FB-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS8N60FB-O-F-N-B-VB

JCS8N60FB-O-F-N-B-VB概述

    JCS8N60FB-O-F-N-B-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    JCS8N60FB-O-F-N-B-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明等领域。该器件具备低导通电阻(Ron)、低输入电容(Ciss)和超低栅极电荷(Qg),有助于降低开关损耗和导通损耗。

    技术参数


    以下是该器件的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(最大) | 650 | V |
    | 漏极连续电流 | 4 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | 3.5 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | 19 | mJ |
    | 最大功耗 | 100 | W |
    | 工作温度范围 | -55 至 +150 | °C |
    | 栅极输入电阻 | 3.5 | Ω |
    | 静态门限电压 | 2 至 4 | V |
    | 导通电阻(最大) | 0.6 | Ω |
    | 输入电容(最大) | 1000 | pF |
    | 输出电容(最大) | 240 | pF |
    | 反向传输电容 | 57 | pF |
    | 有效输出电容(能量相关) | 2.5 | nF |
    | 有效输出电容(时间相关) | 5 | nF |
    | 总栅极电荷 | 10 | nC |
    | 栅源电荷 | 24 | nC |
    | 栅漏电荷 | 12 | nC |
    | 开启延迟时间 | 50 | ns |
    | 上升时间 | 20 | ns |
    | 关闭延迟时间 | 190 | ns |
    | 下降时间 | 190 | ns |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(Ron):有助于降低导通损耗。
    - 低输入电容(Ciss):减少驱动电路的负载,提高效率。
    - 超低栅极电荷(Qg):降低开关损耗。
    - 重复性雪崩能量额定值(UIS):增强可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:适用于高可靠性的电源系统。
    - 开关模式电源(SMPS):适用于需要高效能转换的应用。
    - 功率因数校正电源(PFC):适用于需要高功率因数的应用。
    - 照明:适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯的驱动。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑器件的热阻和散热措施,以确保长期稳定运行。
    - 在高频应用中,应特别注意寄生电感的影响,合理布局电路以减小寄生电感。

    兼容性和支持


    - 该器件与其他标准的N沟道MOSFET具有良好的兼容性。
    - 厂商提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用该器件。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开启延迟时间过长。
    - 解决方案:检查驱动电路的栅极电阻是否合适,必要时调整为较低值。
    2. 问题:导通电阻偏高。
    - 解决方案:确认工作条件是否符合规格书要求,如栅极电压是否达到规定值。
    3. 问题:热稳定性差。
    - 解决方案:增加散热片或采用更好的散热设计,确保器件工作在允许的温度范围内。

    总结和推荐


    JCS8N60FB-O-F-N-B-VB MOSFET 是一款性能优异、应用广泛的功率MOSFET,特别适合于需要高效率和低损耗的应用场合。其低导通电阻、低输入电容和超低栅极电荷等特点使其在多种应用中表现出色。总体来说,我们强烈推荐使用这款器件。

JCS8N60FB-O-F-N-B-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 10A
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS8N60FB-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS8N60FB-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS8N60FB-O-F-N-B-VB JCS8N60FB-O-F-N-B-VB数据手册

JCS8N60FB-O-F-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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