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P8008BV-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,9A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: P8008BV-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P8008BV-VB

P8008BV-VB概述


    产品简介


    产品类型与主要功能
    P8008BV是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电子电路设计,特别是需要高性能开关能力的场合。此款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关性能,非常适合用作初级侧开关器件。其核心功能包括极低的栅漏电荷(Qgd),保证了在高频开关电路中具有较低的能量损耗。
    应用领域
    P8008BV广泛应用于需要高效率功率转换的系统中,例如开关电源、逆变器、直流到直流变换器等。此外,它也适合用于电机控制、照明驱动及通信设备等领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 100 100 | V |
    | 漏极连续电流(TC = 25°C)| ID 9 A |
    | 门限电压 | VGS(th) | 1.0 | 3.0 V |
    | 阈温系数 | ΔVGS(th)/TJ -10 mV/°C |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS ±100 nA |
    | 导通阻抗(VGS = 10V) | RDS(on) 32 mΩ Ω |
    | 开关延迟时间(VGEN = 10V)| td(on) | 14 | 21 ns |
    | 下降时间 | tf | 6 | 10 ns |
    注:所有数值基于TJ = 25°C,除非另有说明。

    产品特点和优势


    1. 低功耗:通过优化设计,该MOSFET实现了非常低的导通阻抗(RDS(on))和极小的栅漏电荷(Qgd),显著降低了运行过程中的能量损耗。
    2. 高可靠性:产品经过100%门极电阻(Rg)和雪崩耐久测试,确保长期稳定运行。
    3. 环保合规:符合RoHS标准,无卤素设计,满足现代电子产品绿色生产的需求。
    4. 快速开关:凭借出色的动态性能指标,可适应高频率应用需求。
    应用案例与使用建议
    应用案例
    - 开关电源设计:P8008BV在主开关回路中的高效表现使其成为高性能开关电源的理想选择。
    - 通信设备:其卓越的开关速度使其适用于路由器、交换机等需要高频率响应的应用场景。
    使用建议
    为了进一步提高系统的可靠性和效率,建议采取以下措施:
    1. 在设计电路时合理布置散热片,以确保工作温度不超过最大允许值(150°C)。
    2. 考虑到瞬态过压的影响,增加必要的保护电路如TVS二极管。

    兼容性和支持


    P8008BV与市面上主流的PCB封装技术和焊接工艺完全兼容,适合批量生产。VBsemi提供详尽的技术文档和技术支持服务,包括但不限于样品申请、定制化开发和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开机瞬间出现异常发热现象 | 检查外围元件是否匹配,调整Rg电阻值 |
    | 设备整体功耗过高 | 确认负载情况,适当降低工作频率或减少负载 |
    | 长期运行后性能下降 | 定期检测散热系统,清洁表面灰尘并更换风扇 |
    总结与推荐
    综上所述,P8008BV凭借其卓越的性能指标和绿色环保的设计理念,在众多电子元器件中脱颖而出。对于追求高能效和可靠性的应用而言,它无疑是一个理想的选择。因此,强烈推荐给需要高性能MOSFET器件的设计师和制造商。
    如需更多技术支持或购买信息,请联系服务热线:400-655-8788。

P8008BV-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 9A
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@10V,34mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

P8008BV-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P8008BV-VB数据手册

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P8008BV-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.8212
4000+ ¥ 1.742
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交货地:
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