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L630-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,310mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220适用于各种低功耗和中功率应用。其适中的漏极-源极电压、低阈值电压和适度的导通电阻使其在多种场合下都具备良好的性能。
供应商型号: L630-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) L630-VB

L630-VB概述

    文章:L630 N-Channel 200V MOSFET 技术手册解读

    一、产品简介


    L630 是一款由 VBsemi 公司生产的 N-Channel 200V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电源管理和控制系统中。这款 MOSFET 具有优秀的耐高温性能,能够在高达 175°C 的结温下稳定运行。此外,它还具有高效能的 PWM 优化特性,适用于需要高效率转换的应用场合。

    二、技术参数


    L630 的关键技术参数如下:
    - 漏源电压(VDS):200V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10V 时为 0.270Ω
    - 持续漏极电流(ID):在 TC = 25°C 时为 10A,在 TC = 125°C 时为 4A
    - 冲击电流(IAS):10A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):18mJ
    - 最大功耗(PD):在 TC = 25°C 时为 121W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 175°C
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):200V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 漏极连续电流(TJ = 175°C):10A

    三、产品特点和优势


    L630 N-Channel MOSFET 的独特功能和优势包括:
    1. 耐高温性能:能够承受高达 175°C 的结温,确保在高温环境下依然稳定运行。
    2. PWM 优化:经过优化设计,适合 PWM 应用,提供高效的开关性能。
    3. 全栅电阻测试:所有产品都通过 100% Rg 测试,保证产品质量。
    4. 环保合规:符合 RoHS 指令,对环境友好。

    四、应用案例和使用建议


    L630 MOSFET 在多种应用场景中表现出色,如主侧开关。具体应用场景包括但不限于:
    - 开关电源:利用其高效能和低导通电阻特性,降低功率损耗。
    - 驱动电路:适合驱动电机、电磁阀等高负载设备。
    - 照明系统:适用于 LED 照明系统的控制和调光。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高功率运行时,应加装散热片以防止过热。
    - 注意选择合适的驱动电路,以充分利用其高效的 PWM 特性。

    五、兼容性和支持


    L630 MOSFET 设计用于标准 TO-220AB 封装,易于与其他标准电路板兼容。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中遇到任何问题都能得到及时解决。

    六、常见问题与解决方案


    1. 如何改善散热效果?
    - 使用散热片和良好的空气流通,确保 MOSFET 工作在安全的温度范围内。

    2. 如何选择合适的驱动电路?
    - 选择输出阻抗较低的驱动器,以减小驱动损耗。

    七、总结和推荐


    L630 N-Channel 200V MOSFET 是一款功能强大且可靠的半导体器件,特别适用于高温环境和高效率要求的应用。其耐高温特性、PWM 优化能力和全面的测试保障使其在市场上具备较强的竞争力。强烈推荐在需要高可靠性和高效能的电源管理及控制系统中使用 L630。

L630-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 10A
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ@10V,310mΩ@4.5V
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

L630-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

L630-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 L630-VB L630-VB数据手册

L630-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
1000+ ¥ 2.1526
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