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IRF830PBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: IRF830PBF-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF830PBF-VB

IRF830PBF-VB概述


    产品简介


    IRF830PBF-VB是一款高性能的N-沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种高频开关应用。 它具有低栅极电荷(Qg)和高栅极、雪崩及动态dv/dt耐用性。主要功能包括用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)等领域的高效能表现。此外,IRF830PBF-VB支持多种离线SMPS拓扑结构,如有源钳位正向电路和主开关电路。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):600 V
    - 最大导通电阻 (RDS(on)):0.780 Ω @ VGS = 10 V
    - 最大总栅极电荷 (Qg):49 nC
    - 最大栅极-源极电荷 (Qgs):13 nC
    - 最大栅极-漏极电荷 (Qgd):20 nC
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS):±30 V
    - 漏源电压 (VDS):600 V
    - 持续漏极电流 (ID):8.0 A @ TC = 25 °C, 5.8 A @ TC = 100 °C
    - 脉冲漏极电流 (IDM):37 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):290 mJ
    - 最大耗散功率 (PD):170 W @ TC = 25 °C

    产品特点和优势


    IRF830PBF-VB的优势在于其低栅极电荷(Qg),这使得驱动要求简单化,同时增强了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。 这些特性使其非常适合于高频开关应用,特别是那些对能效和可靠性要求较高的场合。完全表征的电容和雪崩电压及电流进一步保证了其稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    IRF830PBF-VB广泛应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)等领域。 实际应用中,可以通过调整栅极电阻来控制开关时间,例如在图10a中所示的测试电路中,通过选择合适的栅极电阻,可以实现更高效的开关控制。对于一些需要高频率操作的应用场景,还可以考虑使用更小的栅极电荷(Qg)来提高效率。

    兼容性和支持


    IRF830PBF-VB具有良好的兼容性,可与其他标准TO-220封装的器件配合使用。 厂商提供了详细的技术文档和客户支持,包括热阻抗参数、典型特性图表等,帮助用户更好地理解和使用这款产品。如有任何问题,可通过服务热线400-655-8788联系厂商获取支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:IRF830PBF-VB在高温环境下运行时的性能会受影响吗?
    - 解决方案:产品资料中明确指出,最高工作温度可达150 °C。为了确保长期可靠运行,在高温环境下建议采取适当的散热措施,以防止过热。
    - 问题:如何确定IRF830PBF-VB的最大安全工作区域?
    - 解决方案:根据图8所示的最大安全工作区域图表,可以找到不同工作条件下的最大工作电压和电流范围。需要注意的是,这个区域受到RDS(on)的限制。

    总结和推荐


    IRF830PBF-VB作为一款高性能的N-沟道功率MOSFET,具备低栅极电荷、高耐压和高可靠性等特点,适用于多种高频开关应用。 综合考虑其性能参数和应用场景,推荐在需要高效能和高可靠性的场合下使用。同时,建议在实际使用前仔细阅读技术手册,了解其具体的操作条件和注意事项,以确保最佳效果。

IRF830PBF-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 8A
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF830PBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF830PBF-VB数据手册

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IRF830PBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.5909
500+ ¥ 2.4872
1000+ ¥ 2.3837
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