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P80NF12-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: P80NF12-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P80NF12-VB

P80NF12-VB概述


    产品简介


    P80NF12 是一款N沟道100-V(D-S)耐高温175°C的MOSFET。它采用了先进的TrenchFET®功率MOSFET技术,具有高可靠性、良好的热稳定性和低导通电阻等特点。该产品广泛应用于电源转换器、电机驱动器、通信设备及汽车电子等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 100 V
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 持续漏电流 (TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C 时:100 A
    - TC = 125 °C 时:75 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 300 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 280 mJ
    - 最大功耗 (PD):
    - TC = 25 °C (TO-220AB 和 TO-263):250 W
    - TA = 25 °C (TO-263): 3.75 W
    - 运行结温和存储温度范围: TJ, Tstg -55 至 175 °C
    - 热阻
    - 结到环境的热阻 (RthJA):
    - TO-263 安装在PCB上:40 °C/W
    - 自由空气中的TO-220AB:62.5 °C/W
    - 结到外壳的热阻 (RthJC): 0.6 °C/W

    产品特点和优势


    1. 高温耐受性:P80NF12可以承受高达175 °C的结温,使其适用于高温环境下的应用。
    2. 低导通电阻:在栅源电压为10 V时,导通电阻 (RDS(on)) 仅为0.009 Ω,极大地降低了损耗。
    3. 高可靠性和稳定性:设计符合RoHS标准,且能承受高强度电流冲击。
    4. 高电流能力:能够提供高达100 A的连续漏电流,满足大功率应用需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    P80NF12 MOSFET被广泛用于开关电源、逆变器和电动机驱动器中。例如,在一台高效率的开关电源设计中,P80NF12作为关键的开关器件,显著提高了系统效率。
    使用建议
    - 确保散热良好:由于P80NF12具有较高的功率密度,必须采用有效的散热措施以确保长期可靠运行。
    - 选择合适的栅极驱动:为了减小栅极驱动损耗并提高系统效率,可以选择合适的驱动电路来驱动MOSFET。
    - 考虑瞬态保护:对于瞬态电流较大的应用场景,需额外考虑瞬态保护电路的设计,以确保MOSFET的安全运行。

    兼容性和支持


    P80NF12支持标准的TO-220AB封装,与其他标准接口兼容。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详细的规格文档、应用指南和技术咨询,以帮助客户顺利完成产品的集成和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问:在什么条件下P80NF12的最大漏电流会受到影响?
    - 答:在高温环境下(如TJ = 150 °C),P80NF12的持续漏电流会降至75 A。
    2. 问:如何确保P80NF12的可靠运行?
    - 答:通过有效散热、合适的栅极驱动和瞬态保护电路,可以确保P80NF12在各种工况下可靠运行。

    总结和推荐


    P80NF12 N沟道MOSFET是一款高度可靠的高压功率器件,特别适合于需要高电流能力和耐高温环境的应用场合。其低导通电阻、高可靠性和广泛的应用范围使它成为市场上极具竞争力的产品。我们强烈推荐P80NF12作为高性能电源管理和控制系统的首选MOSFET器件。

P80NF12-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 100A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

P80NF12-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P80NF12-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P80NF12-VB P80NF12-VB数据手册

P80NF12-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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型号 价格(含增值税)
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