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J337-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-15A,RDS(ON),45mΩ@10V,60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: J337-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J337-VB

J337-VB概述


    产品简介


    本产品为P沟道30V(漏极-源极)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于负载开关和笔记本适配器开关等领域。该产品具有高效能和可靠性高的特点,适用于各类电子设备中的功率控制需求。

    技术参数


    - 基本特性:
    - 防卤素
    - 拥有TrenchFET®功率MOSFET
    - 100% Rg测试
    - 100% UIS测试
    - 电气参数:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -30V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = -10\,\text{V} \) 下,\( R{DS(on)} = 0.056\,\Omega \)
    - 在 \( V{GS} = -4.5\,\text{V} \) 下,\( R{DS(on)} = 0.072\,\Omega \)
    - 连续漏电流 \( ID \):
    - 在 \( TJ = 150\,^\circ\text{C} \),\( ID \leq -20\,\text{A} \)
    - 瞬态漏电流 \( I{DM} \): -60A
    - 源-漏二极管连续电流 \( IS \):
    - 在 \( TA = 25\,^\circ\text{C} \),\( IS \leq -20\,\text{A} \)
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 20mJ
    - 最大功耗 \( PD \):
    - 在 \( TA = 25\,^\circ\text{C} \),\( PD \leq 20\,\text{W} \)
    - 热阻抗:
    - 最大结-壳热阻 \( R{thJC} \): 20°C/W
    - 最大结-引脚热阻 \( R{thJF} \): 20°C/W
    - 温度范围:
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{stg} \): -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    1. 高效能:该产品拥有低导通电阻,可以在不同工作条件下提供稳定的性能。
    2. 高可靠性:通过严格的测试,确保产品质量。
    3. 防卤素设计:符合环保要求。
    4. 快速响应时间:具有较短的开关延迟时间和下降时间。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于笔记本适配器开关和负载开关。
    - 使用建议:建议在设计电路时考虑散热措施以避免过热导致的损坏。例如,采用适当的散热片或散热器可以提高产品的可靠性和寿命。

    兼容性和支持


    该产品与其他标准MOSFET管具有良好的兼容性,可直接替换。厂商提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何判断产品是否损坏?
    - 解决办法:检查产品的外观是否有明显的损坏或烧焦现象,测量漏源电压和电流是否正常。

    - 问题2:如何改善散热效果?
    - 解决办法:在安装过程中增加散热片或散热器,或者选择具有良好散热性能的封装形式。

    总结和推荐


    综上所述,这款P沟道30V MOSFET具有出色的性能和可靠性,适合用于多种应用场景。特别适合需要高效能和良好稳定性的负载开关和电源管理应用。因此,强烈推荐使用该产品。

J337-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 15A
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@10V,60mΩ@4.5V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

J337-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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J337-VB封装设计

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