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IRLR3114ZTRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: IRLR3114ZTRPBF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLR3114ZTRPBF-VB

IRLR3114ZTRPBF-VB概述


    产品简介


    N-Channel 4-V (D-S) MOSFET 是一种高效能的电子元器件,属于沟槽式功率金属氧化物半导体场效应晶体管(TrenchFET®)。这类MOSFET 主要用于同步整流及电源供应应用领域。它的设计能够满足高可靠性、高性能的需求,适用于多种工业控制、消费电子和通信设备。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 VDS | 4 | V |
    | 栅源电压 VGS | ± 25 | V |
    | 连续漏极电流(TJ = 175°C)| 85 (TC = 25°C), 70 (TC = 70°C), 59 (TA = 25°C), 53 (TA = 70°C) | A |
    | 脉冲漏极电流 IDM | 250 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 EAS | 320 | mJ |
    | 持续源极-漏极二极管电流 | 110 (TC = 25°C) | A |
    | 最大功率耗散 PD | 312 (TC = 25°C), 200 (TC = 70°C) | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | -55 至 150 | °C |

    产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:采用先进的沟槽技术,提高了器件的效率和可靠性。
    - 全面测试:所有产品经过100%栅极电阻(Rg)和雪崩试验(UIS),确保产品质量。
    - 低导通电阻:在VGS = 10 V时,导通电阻RDS(on)仅为0.0050Ω;在VGS = 4.5 V时,为0.0065Ω,表现出色的开关性能。
    - 快速响应:具备较低的门电荷(Qg),典型值为80 nC,使得它在高频应用中具有更好的性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例:这类MOSFET广泛应用于同步整流电路中,以提高电源转换效率。在高频逆变器、DC-DC转换器、电池充电器等场合都有成功应用实例。
    使用建议:
    - 确保PCB布局合理,减少寄生电感,避免高频振荡。
    - 在大电流应用中,考虑增加散热措施,以确保长期稳定运行。
    - 使用合适的驱动电路,确保MOSFET工作在最佳状态。

    兼容性和支持


    - 兼容性:N-Channel 4-V (D-S) MOSFET可直接替换传统封装的同类产品,如TO-252封装,便于集成到现有系统中。
    - 支持:供应商提供详尽的技术文档和支持,包括使用指南和故障排除手册。此外,客户可以联系官方技术支持团队获取进一步的帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 高温环境下工作稳定性差 | 加强散热措施,使用外部散热器或优化PCB设计 |
    | 开关损耗大 | 选择更低导通电阻RDS(on)的产品,优化驱动电路 |
    | 高频下响应慢 | 减少门电荷Qg,使用低栅极电阻驱动电路 |

    总结和推荐


    综合评估:N-Channel 4-V (D-S) MOSFET凭借其高效的TrenchFET®技术和出色的电气性能,在同步整流及电源供应应用中表现优异。该产品具备出色的可靠性和较长的工作寿命。
    推荐结论:鉴于其卓越的技术指标和广泛的适用性,强烈推荐在需要高性能MOSFET的应用中使用N-Channel 4-V (D-S) MOSFET。

IRLR3114ZTRPBF-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 85A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLR3114ZTRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLR3114ZTRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLR3114ZTRPBF-VB IRLR3114ZTRPBF-VB数据手册

IRLR3114ZTRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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交货地:
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