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NTx18N06G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: NTX18N06G-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTx18N06G-VB

NTx18N06G-VB概述

    NTx18N06G N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTx18N06G 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 D2PAK(TO-263)封装。它具备多种优势,适用于多种应用领域,如开关电源、电机驱动器和电池管理等。本产品特别适用于需要高效能和快速切换的应用场景。

    技术参数


    - 电压额定值
    - 栅源电压(VGS):±10 V
    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 电流额定值
    - 连续漏极电流(ID):50 A (25 °C),36 A (100 °C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):200 A
    - 电阻参数
    - 导通电阻(RDS(on)):0.023 Ω (VGS = 10 V, ID = 50 A),0.027 Ω (VGS = 4.5 V, ID = 40 A)
    - 电容参数
    - 输入电容(Ciss):最大 3000 pF
    - 输出电容(Coss):未提供
    - 反向传输电容(Crss):未提供
    - 动态参数
    - 最大体二极管恢复峰值电压(dV/dt):4.5 V/ns
    - 工作温度范围
    - 操作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55 至 +175 °C

    产品特点和优势


    1. 无卤素设计:符合 IEC 61249-2-21 定义标准。
    2. 表面贴装:适用于自动贴装生产线。
    3. 快速开关:支持逻辑级栅极驱动,使得开关时间大大缩短。
    4. 热稳定性高:最大结点至环境热阻(RthJA)为 62 °C/W。
    5. 兼容 RoHS:符合 RoHS 指令 2002/95/EC。
    6. 高可靠性:支持重复脉冲和单脉冲雪崩能量(EAS)达到 400 mJ。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:NTx18N06G 在高频开关电源中的表现尤为出色,尤其是在要求低损耗和高效率的场合。
    - 电机驱动器:由于其快速的开关速度和高可靠性,它在电机控制应用中具有很好的表现。
    - 电池管理系统:适合用于电池充电和放电过程中的高效开关。
    使用建议:
    - 确保电路布局具有低杂散电感,以减少开关损耗。
    - 使用大面积接地平面,提高散热效果。

    兼容性和支持


    NTx18N06G 可以与多种电路板兼容,具体请参考厂商提供的文档。厂商提供了全面的技术支持,确保用户能够顺利使用产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定器件的最大功率损耗?
    - 解决方案:参见技术手册中的热阻参数表,计算最大功率损耗时需要考虑安装在 PCB 上的情况。

    - 问题:器件在高温环境下运行时有何影响?
    - 解决方案:查阅技术手册中的温度系数数据,确保器件的工作温度在安全范围内。

    总结和推荐


    NTx18N06G N 沟道 MOSFET 是一款集高性能和高可靠性的产品。它的主要优点包括快速开关、高耐压和低导通电阻。适合在各种需要高效能和快速切换的应用场景中使用。推荐使用此产品以满足高级电子设计的需求。

NTx18N06G-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 40A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTx18N06G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTx18N06G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTx18N06G-VB NTx18N06G-VB数据手册

NTx18N06G-VB封装设计

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