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J246STR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
供应商型号: J246STR-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J246STR-VB

J246STR-VB概述

    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    本产品为P沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TrenchFET®功率MOSFET技术制造。主要功能包括开关控制、负载切换和笔记本适配器开关。其广泛应用于各种场合,如负载开关、笔记本适配器转换等。

    技术参数


    - 基本特性
    - 阈值电压 (VGS(th)): -1.0 至 2.5 V
    - 漏极-源极电压 (VDS): 最大 30 V
    - 源极-漏极持续电流 (ID): 最大 4.1 A (TC = 25°C),最大 2.2 A (TA = 25°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 20 mJ
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 112 A
    - 热阻:最大 46 °C/W(RthJA)
    - 电气特性
    - 漏极-源极导通电阻 (RDS(on)): 最小 0.033 Ω (VGS = -10 V, ID = -10 A),最小 0.046 Ω (VGS = -4.5 V, ID = -8 A)
    - 输入电容 (Ciss): 1350 pF (VDS = -15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 255 pF
    - 转移电容 (Crss): 190 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大 43 nC (VDS = -15 V, VGS = -10 V, ID = -10 A)
    - 工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - 高可靠性:100%经过Rg测试和UIS测试。
    - 低导通电阻:漏极-源极导通电阻最低可达0.033 Ω,有效降低功耗。
    - 优异的热性能:最高热阻为46 °C/W(RthJA),保证在恶劣环境下稳定运行。
    - 环保材料:无卤素设计,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    - 笔记本适配器开关:用于笔记本电源适配器的开关电路,能有效控制电压和电流。
    - 负载开关:在负载变化时快速切换电路,确保系统稳定运行。
    使用建议:
    - 确保安装在合适的散热片上,以提高热管理效率。
    - 避免长时间工作在绝对最大额定值附近,以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    - 该产品兼容多种封装形式,包括TO-252封装。
    - 厂商提供详细的技术文档和客户服务热线,可随时解答技术问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高电流下出现过热。
    - 解决方法:检查散热措施是否足够,考虑增加散热片或改善通风条件。

    - 问题2:长时间工作时出现导通电阻升高。
    - 解决方法:检查是否在最大额定值范围内工作,如超出范围需重新计算并调整电路设计。

    总结和推荐


    这款P-Channel 30-V MOSFET凭借其高可靠性、低导通电阻和优异的热性能,在各种应用场合中表现出色。其在负载开关和笔记本适配器转换中具有明显的优势。强烈推荐给需要高性能开关应用的设计工程师。
    如有任何疑问或需要进一步技术支持,欢迎拨打我们的服务热线:400-655-8788。

J246STR-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 26A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,46mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J246STR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J246STR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J246STR-VB J246STR-VB数据手册

J246STR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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型号 价格(含增值税)
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