处理中...

首页  >  产品百科  >  JCS15N60CT-VB

JCS15N60CT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: JCS15N60CT-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS15N60CT-VB

JCS15N60CT-VB概述

    JCS15N60CT-VB N-Channel 650V (D-S) Super Junction MOSFET



    1. 产品简介




    产品类型:JCS15N60CT-VB 是一款高性能的N-通道超级结(Super Junction)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它适用于各种电源转换应用,如电信、照明、消费电子、工业和可再生能源等领域。

    主要功能:
    - 低反向恢复时间(trr)
    - 低恢复电荷(Qrr)
    - 低门极电荷(Qg)
    - 低导通电阻(RDS(on))

    应用领域:
    - 服务器和电信电源
    - 高强度放电灯(HID)和荧光灯照明
    - ATX 电源供应器
    - 焊接设备
    - 太阳能光伏逆变器
    - 开关模式电源(SMPS)


    2. 技术参数




    基本规格:
    - 最大漏源电压(VDS):650V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.19Ω (在25°C时)
    - 最大门源电压(VGS):±30V
    - 最大连续漏电流(ID):13A (TC=100°C)
    - 最大门极电荷(Qg):106nC
    - 重复脉冲漏电流(IDM):60A
    - 单次脉冲雪崩能量(EAS):367mJ

    工作环境:
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C

    热阻:
    - 最大结到环境热阻(RthJA):62°C/W
    - 最大结到外壳热阻(RthJC):5°C/W


    3. 产品特点和优势




    - 低损耗:由于其低反向恢复时间和低恢复电荷,JCS15N60CT-VB 在高频率开关应用中表现出色,从而减少能量损失。
    - 高效能:低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg)使其在低损耗应用中表现优异。
    - 可靠性和耐用性:通过重复的脉冲和雪崩能量测试,保证了产品的长期稳定性和可靠性。
    - 广泛的应用范围:适用于多种电源管理和转换应用,特别是在高频和高效率需求的环境中。


    4. 应用案例和使用建议




    应用案例:
    - 服务器电源:JCS15N60CT-VB 可用于服务器电源,以提高转换效率和降低功耗。
    - 太阳能光伏逆变器:其高耐压能力和低损耗特性使其成为太阳能光伏逆变器的理想选择。

    使用建议:
    - 散热设计:考虑到较高的功率损耗,需要良好的散热设计,特别是对于高功率密度应用。
    - 门极驱动:确保适当的门极电阻(Rg),以减少门极充电时间和降低门极损耗。
    - 工作条件监测:持续监控工作温度,以确保在极端条件下保持安全操作。


    5. 兼容性和支持




    兼容性:
    - JCS15N60CT-VB 具有标准的TO-220封装,易于与其他电子元件和设备兼容。

    支持和维护:
    - 提供官方技术支持和售后服务,包括技术咨询、故障排查和维修服务。
    - 用户可通过服务热线(400-655-8788)或访问公司官网(www.VBsemi.com)获取更多帮助和支持。


    6. 常见问题与解决方案




    | 问题 | 解决方案 |
    | --- | --- |
    | 漏电流过高 | 检查门极驱动电路,确保合适的Rg值;检查散热系统,确保良好的热管理。 |
    | 温度过高 | 确保有效的散热设计;增加外部散热片;减小负载。 |
    | 功率损耗大 | 调整门极驱动信号,减少门极充电时间;改善电路布局,减少寄生电感。 |


    7. 总结和推荐




    综合评估:
    - JCS15N60CT-VB 在高效率电源转换应用中表现出色,具有低损耗、高可靠性和广泛的应用范围。
    - 其独特的设计和制造工艺使其成为同类产品中的佼佼者。

    推荐:
    - 强烈推荐 JCS15N60CT-VB 在高效率要求的应用中使用,如服务器电源、太阳能光伏逆变器等。其优越的性能和可靠性将为用户带来显著的优势。

JCS15N60CT-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 20A
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS15N60CT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS15N60CT-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS15N60CT-VB JCS15N60CT-VB数据手册

JCS15N60CT-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 116.6
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504