处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFI620GPBF-VB

IRFI620GPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-IRFI620GPBF-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFI620GPBF-VB

IRFI620GPBF-VB概述

    # N-Channel 200V (D-S) MOSFET IRFI620GPBF-VB 技术手册

    产品简介


    IRFI620GPBF-VB 是一款高性能的N-Channel 200V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有高电压隔离能力、低热阻和动态dV/dt额定值等特点。它广泛应用于各种电力电子系统,如开关电源、电机驱动、逆变器等领域。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的主要技术规格:
    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 200 V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 6.5 A(\( TC = 100 °C \))
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 32 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 36 mJ
    - 反复雪崩电流 \( I{AR} \): 7.2 A
    - 反复雪崩能量 \( E{AR} \): 3.7 mJ
    - 最大功耗 \( PD \): 37 W(\( TC = 25 °C \))
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 200 V(\( ID = 250 µA \))
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0 V 至 4.0 V
    - 零栅源电压漏极电流 \( I{DSS} \): 25 µA
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.265 Ω(\( V{GS} = 10 V \))
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 560 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 12 pF
    - 门极电荷 \( Qg \): 6 nC
    - 门极-源极电荷 \( Q{gs} \): 4.4 nC
    - 门极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 7.7 nC
    - 其他参数
    - 最大结温至环境温度的热阻 \( R{thJA} \): 65 °C/W
    - 最大结温至管壳热阻 \( R{thJC} \): 4.1 °C/W
    - 动态 dV/dt 额定值: 5.5 V/ns
    - 热特性曲线图
    - 最大安全操作区图
    - 最大漏极电流与外壳温度的关系图
    - 雪崩能量与漏极电流关系图

    产品特点和优势


    - 高电压隔离: 达到2.5 kVRMS的高电压隔离,确保器件在高电压环境下的可靠运行。
    - 低热阻: 具有较低的热阻,有助于提高散热效率,延长使用寿命。
    - 动态 dV/dt 额定值: 在高动态环境下保持稳定运行。
    - 低温升: 在高温条件下仍能保持良好的性能,适用于严苛的工作环境。
    - 符合RoHS标准: 所有材料均不含铅,环保友好。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRFI620GPBF-VB 适用于多种电力电子应用,例如:
    - 开关电源:提供高功率处理能力和低导通电阻。
    - 电机驱动:高动态特性和快速响应使其适用于精确控制的场合。
    - 逆变器:在高压环境中表现出色,保证高效转换。
    使用建议
    - 布局建议: 确保良好的散热设计,减少寄生电感和电容的影响。
    - 测试电路: 使用合适的测试电路进行开关时间和雪崩能量测试,以验证其性能。
    - 驱动电路: 采用匹配的驱动电路以实现最佳的性能和可靠性。

    兼容性和支持


    IRFI620GPBF-VB 与其他标准电子元器件兼容,方便集成到现有系统中。VBsemi 提供全面的技术支持,包括产品文档、常见问题解答和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关时间不稳定。
    - 解决方法: 确认驱动电路配置正确,测试电路无寄生电感影响。
    - 问题2: 温度过载。
    - 解决方法: 改善散热设计,避免长时间满负荷运行。
    - 问题3: 漏电流过高。
    - 解决方法: 检查封装是否良好接地,确保工作条件符合手册要求。

    总结和推荐


    IRFI620GPBF-VB是一款具备高电压隔离能力、低热阻和高性能的N-Channel MOSFET,适用于各种电力电子应用。其卓越的性能和可靠性使其成为市场上极具竞争力的产品。强烈推荐使用,特别是在需要高可靠性、高动态范围的应用场景中。
    服务热线:400-655-8788
    更多详情请访问官方网站 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)。

IRFI620GPBF-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 10A
Rds(On)-漏源导通电阻 283mΩ@10V,300mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRFI620GPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFI620GPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFI620GPBF-VB IRFI620GPBF-VB数据手册

IRFI620GPBF-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.2226
10+ ¥ 3.9742
30+ ¥ 3.547
100+ ¥ 2.6578
1000+ ¥ 2.5584
3000+ ¥ 2.4839
库存: 20
起订量: 1 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 4.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336