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IRFP4410ZPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,90A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO247
供应商型号: IRFP4410ZPBF-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFP4410ZPBF-VB

IRFP4410ZPBF-VB概述

    电子元器件产品技术手册 —— N-Channel 100 V MOSFET

    产品简介


    N-Channel 100 V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能、低功耗的电子元件,适用于多种应用场合。该产品采用先进的TrenchFET®技术,具有高功率密度和低导通电阻(RDS(on)),可广泛应用于电源管理、电机控制、照明系统和其他需要高效能和高可靠性的电子设备中。

    技术参数


    以下是该N-Channel 100 V MOSFET的主要技术规格和性能参数:
    - 额定电压:100 V(D-S)
    - 最大漏极电流:150 A(TJ = 175 °C)
    - 导通电阻:0.006 Ω(在VGS = 10 V时)
    - 栅极阈值电压:2~4 V
    - 最大功率耗散:375 W(独立于操作温度)
    此外,该产品还具有以下关键电气特性和工作环境参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 栅极-源极电压:± 20 V
    - 最大脉冲漏极电流:600 A
    - 最大重复雪崩能量:280 mJ
    - 热阻:
    - 结-空气热阻:40 °C/W(TO-247封装)
    - 结-外壳热阻:0.5 °C/W

    产品特点和优势


    该N-Channel 100 V MOSFET具有以下几个显著的特点和优势:
    - TrenchFET®技术:确保了高效的开关性能和更低的导通电阻。
    - 低热阻:新包装设计提高了散热效率,降低了温升。
    - 可靠性测试:100%栅极电阻测试确保产品质量。
    - 宽工作温度范围:-55°C至175°C,适合各种恶劣环境。
    这些特点使得该产品在电力管理和控制应用中表现出色,特别是在高功率、高温环境下的稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源管理:用于高频开关电源,提高能效和降低损耗。
    - 电机驱动:在电机控制系统中作为开关元件,实现精确的电流控制。
    - 照明系统:用于LED驱动电路,提供高效的电流调节。
    使用建议:
    - 电路设计:在设计电路时需考虑散热问题,选择合适的散热片和通风孔以保证良好的散热。
    - 电压保护:由于额定电压为100 V,确保电路中的电压不超过此限制,避免击穿损坏。
    - 栅极保护:使用栅极电阻和电容来防止瞬态电压对栅极造成损害。

    兼容性和支持


    该N-Channel 100 V MOSFET采用标准的TO-247封装,与大多数常用电路板和连接器兼容。厂商提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品培训和技术咨询,帮助客户更好地利用该产品的性能。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何处理过热问题?
    - A: 使用散热片和风扇进行强制冷却,确保良好的空气流通和散热效果。

    - Q: 为什么RDS(on)在不同温度下有所不同?
    - A: 这是正常现象,随温度升高,导通电阻会略有增加,设计时需考虑到这一点。
    - Q: 如何防止瞬态电压损坏栅极?
    - A: 使用适当的栅极电阻和电容来滤波和保护栅极。

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 100 V MOSFET凭借其高效的TrenchFET®技术、低导通电阻和出色的热性能,在电力管理和控制应用中表现优异。它不仅提供了卓越的性能,还具备宽广的工作温度范围,适合在苛刻环境中使用。因此,强烈推荐这款产品给需要高性能、高可靠性的电力控制应用场合。

IRFP4410ZPBF-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 90A
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,7mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFP4410ZPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFP4410ZPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFP4410ZPBF-VB IRFP4410ZPBF-VB数据手册

IRFP4410ZPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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