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K2631-TL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: K2631-TL-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2631-TL-VB

K2631-TL-VB概述

    N-Channel MOSFET K2631-TL 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)K2631-TL 是一种高性能功率开关器件,适用于多种工业和消费类电子产品。它以其低导通电阻(RDS(on))和高可靠性而著称,在服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明、焊接、感应加热等领域有着广泛应用。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 低门极电荷(Qg):9.8 nC
    - 低输入电容(Ciss):315 pF
    - 最大连续漏极电流(TJ = 150 °C):2.8 A
    - 最大栅极-源极电压(VGS):±30 V
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):14 mJ
    - 工作温度范围:-55 °C 到 +150 °C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):800 V
    - 门极-源极阈值电压(VGS(th)):2.0 V 至 4.0 V
    - 门极-源极漏电流(IGSS):±100 nA
    - 门极-源极电荷(Qgs):2.4 nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):3.9 nC
    - 动态参数
    - 开启延迟时间(td(on)):11 ns
    - 上升时间(tr):7 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):19 ns
    - 下降时间(tf):27 ns

    3. 产品特点和优势


    K2631-TL 具有以下显著特点和优势:
    - 低电阻率:典型 RDS(on) 为 2.38 Ω,非常适合需要高效能的应用场景。
    - 低电荷损耗:具有较低的总栅极电荷(Qg)和门极-源极电荷(Qgs),减少开关损耗,提高效率。
    - 良好的热特性:最高结温达 150 °C,确保在高温环境下稳定工作。
    - 高可靠性和耐用性:通过严格的测试和认证,保证在极端条件下也能正常运行。

    4. 应用案例和使用建议


    K2631-TL 广泛应用于多个领域,如:
    - 服务器和电信电源:适用于服务器和通信设备中的电源转换和控制。
    - 照明:可用于高密度放电灯(HID)和荧光灯照明系统。
    - 工业应用:包括焊接、感应加热、电机驱动、电池充电和可再生能源领域(如太阳能光伏逆变器)。
    使用建议:
    - 确保在电路设计中考虑到散热措施,以避免因过热导致的性能下降。
    - 使用低杂散电感和地平面布局,以减少电磁干扰。

    5. 兼容性和支持


    K2631-TL 设计为与各种电子设备兼容,能够轻松集成到现有的电路设计中。制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、应用指南和故障排除支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何正确测量漏源电压(VDS)?
    - A: 使用标准的万用表或专用的高压测试设备,在测试时确保安全防护措施到位。
    - Q: 在高温环境下使用时需要注意什么?
    - A: 确保在电路设计中留有足够的散热余量,并选择合适的散热片或散热器。
    - Q: 如何避免栅极噪声干扰?
    - A: 使用屏蔽电缆和滤波器来减少电磁干扰的影响。

    7. 总结和推荐


    总体而言,K2631-TL N-Channel MOSFET 具有优异的性能、高度的可靠性和广泛的适用范围,是高性能应用的理想选择。对于寻求高性能和长寿命的电源管理系统,我们强烈推荐使用这款产品。

K2631-TL-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6Ω@ 10V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2631-TL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2631-TL-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2631-TL-VB K2631-TL-VB数据手册

K2631-TL-VB封装设计

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