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HM2N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: HM2N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM2N60F-VB

HM2N60F-VB概述

    HM2N60F-VB 650V N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HM2N60F-VB 是一款适用于多种应用场合的 N-通道 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件以其低门电荷、改善的开关特性和高度可靠的栅极、雪崩及动态 dv/dt 能力而著称。它的广泛用途涵盖了工业控制、电源管理、电机驱动等领域,是高压电源转换和控制的理想选择。

    技术参数


    - 工作电压: VDS = 650V
    - 栅源阈值电压: VGS(th) = 2.0 - 4.0V
    - 栅漏电: IGSS = ±100nA (VGS = ±30V)
    - 导通电阻: RDS(on) = 4.0Ω (VGS = 10V, ID = 1A)
    - 总栅电荷: Qg(max) = 11nC
    - 输入电容: Ciss = 1000pF (VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz)
    - 最大重复雪崩能量: EAS = 165mJ
    - 最大功耗: PD = 25W (TC = 25°C)
    - 峰值二极管恢复电压: dV/dt = 2.8V/ns
    - 工作温度范围: TJ, Tstg = -55 to +150°C

    产品特点和优势


    - 低门电荷: 低 Qg 值确保简单的驱动需求。
    - 高可靠性: 改善的栅极、雪崩及动态 dv/dt 特性。
    - 完全表征的电容和雪崩特性: 完整的参数测试确保了其可靠性和一致性。
    - 符合 RoHS 指令: 确保环保要求。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 用于电机驱动、电源管理、工业自动化等。
    - 使用建议: 在高功率应用中需注意散热管理,避免热应力引起的故障。

    兼容性和支持


    - 兼容性: HM2N60F-VB 可以与各种常见的驱动电路兼容。
    - 技术支持: 提供详尽的技术文档和支持,帮助客户快速应用。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何确定最佳的门极电阻?
    - A: 通常通过调整 RG 的值来优化开关时间。可以通过图 10b 中的波形图进行观察,找到最佳的开关时间。

    - Q: 是否可以承受多次雪崩击穿?
    - A: 可以,但需遵守最大雪崩能量的规定(EAS = 165mJ)。

    总结和推荐


    HM2N60F-VB 以其卓越的性能和高可靠性成为市场上值得信赖的产品。它具有出色的低门电荷、增强的雪崩耐受能力和广泛的温度适应能力。对于需要高性能功率管理的应用,如工业控制和电源转换,该产品是一个非常理想的选择。我们强烈推荐此产品给寻求可靠且高效解决方案的客户。

HM2N60F-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 2A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HM2N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM2N60F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HM2N60F-VB HM2N60F-VB数据手册

HM2N60F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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型号 价格(含增值税)
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