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UT07N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: UT07N60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT07N60-VB

UT07N60-VB概述

    UT07N60 产品技术手册

    1. 产品简介


    产品类型: UT07N60是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
    主要功能:
    - 低栅极电荷(Qg),简化驱动要求。
    - 改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压及电流。
    应用领域:
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 不间断电源(UPS)
    - 高速功率开关

    2. 技术参数


    - VDS(漏源电压): 600V
    - RDS(on)(导通电阻): 0.780Ω(当VGS为10V时)
    - Qg最大(总栅极电荷): 49nC
    - Qgs(栅源电荷): 13nC
    - Qgd(栅漏电荷): 20nC
    - 绝对最大额定值:
    - 栅极-源极电压(VGS): ±30V
    - 持续漏极电流(ID): 8.0A (TC = 25°C), 5.8A (TC = 100°C)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 290mJ
    - 最大功耗(PD): 170W
    - 结温(TJ): -55°C到+150°C
    - 热阻:
    - 结到外壳的最大热阻(RthJC): 0.75°C/W
    - 结到环境的最大热阻(RthJA): 62°C/W
    - 开关时间参数:
    - 上升时间(tr): 25ns
    - 关闭延迟时间(td(off)): 30ns
    - 下降时间(tf): 22ns

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg): 使驱动要求更简单。
    - 改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性: 提高了可靠性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压及电流: 确保稳定性和安全性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)的应用,其中对快速响应和高能效要求较高。
    使用建议:
    - 在选择栅极驱动器时,确保能够处理最大额定电压和电流。
    - 在设计散热系统时,需考虑到最大功耗和热阻参数以保证良好的散热效果。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于多种拓扑结构的开线式SMPS。
    - 支持: 厂商提供详细的安装指导和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - Q: 如何避免过高的栅极电压导致的损坏?
    - A: 使用合适的栅极电阻以限制电流,并确保栅极电压不超过最大额定值±30V。
    常见问题:
    - Q: 如何降低功耗?
    - A: 通过选择合适的散热方案并合理布置电路板,减小寄生电感和提高散热效率。

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    UT07N60凭借其低栅极电荷、改进的鲁棒性和全面的表征,使其在多种应用场合表现出色。其广泛的应用范围和高可靠性使其成为许多电源系统中不可或缺的元件。
    推荐:
    强烈推荐UT07N60作为高性能电源管理系统的理想选择。无论是对于开发新项目还是替换现有系统中的组件,这款MOSFET都表现出了优异的性能和可靠性。

UT07N60-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 8A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT07N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT07N60-VB数据手册

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UT07N60-VB封装设计

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