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UT2955G-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: UT2955G-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2955G-TN3-R-VB

UT2955G-TN3-R-VB概述

    UT2955G-TN3-R P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT2955G-TN3-R 是一款由台湾 VBsemi 公司生产的 P-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于负载开关应用。该器件通过栅极控制通道导通和截止,从而实现电流的精确控制。由于其出色的性能和可靠性,UT2955G-TN3-R 在许多电力电子系统中被广泛应用。

    技术参数


    - 电压额定值:
    - 漏源击穿电压 V(BR)DSS: 最高 60V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175°C): 最大 25A (TC = 25°C),最大 20A (TC = 100°C)
    - 单脉冲雪崩能量 EAS: 7.2mJ
    - 电阻参数:
    - 开启状态下的漏源电阻 rDS(on):
    - VGS = -10V, ID = -5A: 0.061Ω
    - VGS = -4.5V, ID = -2A: 0.072Ω
    - 电气特性:
    - 门极泄漏电流 IGSS: ±100nA
    - 门极电荷 Qg: 10nC
    - 门-源电荷 Qgs: 2.1nC
    - 门-漏电荷 Qgd: 3.2nC
    - 热阻:
    - 结点到环境热阻 RthJA: 20°C/W
    - 结点到外壳热阻 RthJC: 5°C/W
    - 其他特性:
    - 工作温度范围: -55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    1. 采用 TrenchFET® 技术:确保了高效率和低损耗,适合多种应用。
    2. 全 UIS 测试:保证了产品的可靠性和稳定性。
    3. 低导通电阻:在不同电压下保持较低的 rDS(on),降低能耗。
    4. 耐高温性能:能够在极端温度条件下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    UT2955G-TN3-R 主要应用于负载开关,比如在电源管理模块中用于调节电流。在设计时,需注意以下几点:
    - 电路布局:确保良好的散热设计以避免热积聚。
    - 驱动电路:适当的驱动电压和电流,以确保开关速度和可靠性。
    - 保护措施:如过压、过流保护,以提高系统的整体稳定性。

    兼容性和支持


    UT2955G-TN3-R 采用 TO-252 封装,适用于表面贴装技术(SMT)。制造商提供全面的技术支持,包括数据手册、样本库和专业的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 在高功率应用中温度过高。
    - 解决方案:增加散热片或使用风扇冷却,优化电路布局以改善热传导。
    2. 问题:驱动电路不稳定导致开关频率降低。
    - 解决方案:检查驱动信号的质量,确保合适的门极电阻和驱动电压。

    总结和推荐


    UT2955G-TN3-R 是一款优秀的 P-Channel MOSFET,具有高可靠性、低功耗和广泛的工作温度范围。在各种负载开关应用中表现出色,特别适合需要高效率和良好散热的应用场景。强烈推荐使用这款产品。

UT2955G-TN3-R-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 38A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2955G-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2955G-TN3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2955G-TN3-R-VB UT2955G-TN3-R-VB数据手册

UT2955G-TN3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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