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K2390-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: K2390-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2390-VB

K2390-VB概述

    K2390-VB N-Channel 60V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    K2390-VB 是一款 N 沟道 MOSFET,工作电压为 60V。该器件主要用于高电流、高频的应用场景,具备出色的隔离特性和低热阻。其典型应用场景包括电源管理、电机驱动、电池充电器等领域。

    2. 技术参数


    以下是 K2390-VB 的关键技术规格:
    - 电压参数
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 漏源电压(VDS):60V
    - 持续漏极电流(TC = 25°C):45A
    - 脉冲漏极电流(IDM):220A
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压(VDS):60V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.0 - 3.0V
    - 栅源漏电(IGSS):±100nA
    - 零栅源电压漏极电流(IDSS):25µA
    - 动态特性
    - 总栅极电荷(Qg):95nC
    - 输入电容(Ciss):1500pF
    - 输出电容(Coss):无数据
    - 反向转移电容(Crss):无数据
    - 关断延迟时间(td(off)):无数据
    - 导通延迟时间(td(on)):19ns
    - 上升时间(tr):120ns
    - 下降时间(tf):86ns
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻(RthJA):65°C/W
    - 最大结到壳热阻(RthJC):3.1°C/W

    3. 产品特点和优势


    K2390-VB MOSFET 具备以下显著特点和优势:
    - 隔离封装:采用全封闭 TO-220 封装,具有 2.5 kVRMS 的高压隔离能力,适合对电气安全要求高的应用场景。
    - 高可靠性:175°C 的工作温度范围,确保在高温环境下也能稳定运行。
    - 低热阻:低热阻设计,提高散热效率,延长使用寿命。
    - 动态 dV/dt 额定值:快速开关特性,减少能量损耗,提高能效。

    4. 应用案例和使用建议


    K2390-VB 在电源转换器、电机驱动和电池充电器等场景中表现出色。例如,在电源转换器中,可以通过调整驱动信号来优化 MOSFET 的开关性能。对于电机驱动应用,应注意驱动电路的设计以减小寄生电感的影响。

    5. 兼容性和支持


    K2390-VB 支持多种驱动电路和电源系统,可与其他标准电子元件良好配合。厂商提供详细的技术支持和售后服务,确保用户能够顺利进行安装和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现过热现象。
    - 解决方法: 确保良好的散热设计,如增加散热片或优化 PCB 布局。
    - 问题2: 开关频率过高导致损耗增加。
    - 解决方法: 减少开关频率或优化电路布局以降低寄生电感。

    7. 总结和推荐


    K2390-VB N-Channel MOSFET 在高电流、高温环境中表现出优异的性能,特别适用于需要高压隔离和高可靠性的应用场景。其低热阻和动态 dV/dt 特性使其成为电源管理和电机控制领域的理想选择。综上所述,强烈推荐使用 K2390-VB。
    希望以上解析对您有所帮助!如果您有任何其他问题或需求,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

K2390-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 45A
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2390-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2390-VB数据手册

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K2390-VB封装设计

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