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FCD900N60Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: FCD900N60Z-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FCD900N60Z-VB

FCD900N60Z-VB概述

    FCD900N60Z 4VQFS Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    FCD900N60Z 是一款高性能的 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电子设备,如服务器、电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及照明系统。它凭借其低损耗特性、快速开关速度和高可靠性,在工业和消费电子产品中广泛应用。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS):650 V
    - 最大栅源电压(VGS):± 30 V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C):8 A(@ TC = 25 °C),4 A(@ TC = 100 °C)
    - 脉冲漏极电流:12 A
    - 结到环境的最大热阻:63 °C/W
    - 结到外壳的最大热阻:0.6 °C/W
    - 单脉冲雪崩能量(UIS):97 mJ
    - 最大功率耗散:100 W
    - 工作温度范围:-55 至 +150 °C
    - 栅极输入电阻:3.5 Ω

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:在25°C时,最大导通电阻为0.7 Ω(@ VGS = 10 V)
    - 低栅极电荷:最大栅极电荷为14 nC
    - 低输入电容:典型输入电容为147 pF
    - 高速开关:有效减少开关损耗和传导损耗,提高能效
    - 高可靠性:具备高耐雪崩能力,确保在极端条件下稳定运行

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:利用其高可靠性和低损耗特性,提高电源效率。
    - 照明系统:在 HID 和荧光灯球泡灯中,能够提供稳定的电流输出,减少能源浪费。
    - 工业设备:用于高精度控制,满足工业设备对可靠性和高效性的要求。
    使用建议:
    - 确保散热良好,以防止过热导致器件损坏。
    - 使用合适的驱动电路,确保快速和准确的开关操作。
    - 在设计电路时考虑寄生电感的影响,以避免不必要的干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FCD900N60Z 与各种标准驱动电路兼容,可轻松集成到现有系统中。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和专业的技术支持,帮助客户解决在使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - Q1:如何测量器件的栅极电荷?
    - A1:使用典型的开关时间测试电路来测量。通过调节驱动信号的频率和幅值来获得准确的结果。

    - Q2:在高温环境下,器件性能会受影响吗?
    - A2:根据数据手册,最高工作温度可达150 °C。但在极端高温环境下,可能需要增加散热措施以保持器件的正常运行。

    总结和推荐


    FCD900N60Z MOSFET 是一款性能优异的电子元器件,具有低损耗、高可靠性等特点。它非常适合在电源转换和控制等领域应用。考虑到其广泛的应用范围和VBsemi提供的支持,强烈推荐使用此产品。
    本手册提供的信息仅供参考,具体参数和性能以VBsemi官方网站和最新版本的手册为准。若需了解更多详细信息或技术支持,请联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

FCD900N60Z-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
配置 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FCD900N60Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FCD900N60Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FCD900N60Z-VB FCD900N60Z-VB数据手册

FCD900N60Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
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型号 价格(含增值税)
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