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IRF3007SPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
供应商型号: IRF3007SPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF3007SPBF-VB

IRF3007SPBF-VB概述


    产品简介


    产品类型:N-Channel 80V(D-S)MOSFET
    主要功能:ThunderFET® 功率 MOSFET,用于开关电源、电机驱动和其他需要高效功率管理的应用。
    应用领域:广泛应用于工业控制、消费电子产品、汽车电子、通信设备等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\):80V
    - 栅源电压 \(V{GS}\):±20V
    - 持续漏极电流 \(ID\):@25°C - 120A,@125°C - 65A
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\):225A
    - 单次雪崩电流 \(IA\):50A
    - 单次雪崩能量 \(E{AS}\):125mJ
    - 最大功率耗散 \(PD\):@25°C - 370W,@125°C - 120W
    - 工作结温和存储温度范围 \(T{J}, T{STG}\):-55°C 至 +175°C
    - 热阻抗
    - 结至环境(PCB安装)\(R{thJA}\):40°C/W
    - 结至外壳(漏极)\(R{thJC}\):0.75°C/W
    - 静态规格
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\):80V
    - 栅阈值电压 \(V{GS(th)}\):2.5V 至 4.5V
    - 栅体泄漏 \(I{GSS}\):±100nA
    - 零栅压漏极电流 \(I{DSS}\):1μA
    - 开态漏极电流 \(I{D(on)}\):90A
    - 开态漏源电阻 \(R{DS(on)}\):@10V - 6mΩ,@4.5V - 10mΩ
    - 动态规格
    - 输入电容 \(C{iss}\):3330pF
    - 输出电容 \(C{oss}\):1395pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\):95pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\):53.5nC 至 81nC

    产品特点和优势


    - 高耐温性:最大结温可达175°C,适用于高温环境。
    - 卓越的可靠性:100%的Rg和UIS测试,确保产品质量。
    - 低导通电阻:低至6mΩ,适用于高效的功率转换应用。
    - 快速开关特性:出色的动态特性,支持高频开关操作。
    - 高抗雪崩能力:单次雪崩能量高达125mJ,适合要求严苛的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:由于其低导通电阻和高耐温性,适用于大功率开关电源设计。
    - 电机驱动:在电机驱动电路中,可以显著提高系统的能效和稳定性。
    使用建议:
    - 散热管理:为确保长期稳定运行,建议采用良好的散热措施,如增加散热片或使用散热膏。
    - 负载匹配:根据具体应用场景选择合适的栅极电阻,以优化开关速度和功耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品适用于标准的D2PAK封装,便于集成到现有系统中。
    - 技术支持:制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括应用指南和故障排除文档。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:无法达到预期的导通电阻。
    - 解决方案:检查栅极电压是否满足要求,确保栅极驱动电路正常工作。
    - 问题2:工作时过热。
    - 解决方案:加强散热措施,确保良好的空气流通和足够的散热面积。
    - 问题3:开关速度慢。
    - 解决方案:调整栅极电阻值,选择合适的栅极驱动电路,以优化开关时间。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:IRF3007SPBF-VB具备卓越的导通性能、高耐温性和可靠的可靠性,非常适合于需要高效功率管理的应用场景。
    - 缺点:可能对某些特殊应用的客户来说,初始成本较高。
    推荐:
    - 总体推荐:强烈推荐给需要高效能、高可靠性的工业控制和电力转换应用。对于要求严苛的应用场景,该产品是理想的选择。

IRF3007SPBF-VB参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,10mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 80V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 120A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF3007SPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF3007SPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF3007SPBF-VB IRF3007SPBF-VB数据手册

IRF3007SPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
800+ ¥ 4.1395
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