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UT108N03L-TN3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: UT108N03L-TN3-T-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT108N03L-TN3-T-VB

UT108N03L-TN3-T-VB概述

    N-Channel 30-V MOSFET UT108N03L-TN3-T

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的电子元器件,属于TrenchFET® Power MOSFET系列。它广泛应用于OR-ing电路、服务器以及DC/DC转换器等领域。其主要功能是通过控制电流来实现电路中的开关操作,同时具备高效率和低功耗的特点。

    技术参数


    以下是该产品的详细技术规格:
    - 电压参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):30V
    - 绝对最大额定值下栅源电压 (VGS):±20V
    - 漏极连续电流 (TJ = 175°C):在不同温度条件下的连续漏极电流分别为100A (TC = 25°C),80A (TC = 70°C),35.8A (TA = 25°C),27A (TA = 70°C)
    - 热参数:
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C):235W
    - 最大结点到环境热阻 (RthJA):32°C/W (最大值)

    - 静态特性:
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.5V 至 2.5V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):在VGS = 10V时为0.002Ω,在VGS = 4.5V时为0Ω
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss):5201pF
    - 输出电容 (Coss):1525pF
    - 反向转移电容 (Crss):770pF
    - 总门极电荷 (Qg):在不同条件下为151至227nC

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:在VGS = 10V时,RDS(on)仅为0.002Ω,大大降低了功耗,提高了效率。
    - 高可靠性和测试:该产品通过了100% Rg和UIS测试,符合RoHS指令,确保了在恶劣环境下的稳定运行。
    - 宽工作温度范围:其工作温度范围为-55°C至175°C,适应各种工业应用环境。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:适用于服务器电源管理系统中的DC/DC转换器,以及各种需要快速开关和高效率的应用场景。
    - 使用建议:为了更好地发挥其性能,建议在电路设计时充分考虑散热措施,以避免因过热而导致的性能下降。同时,确保电路中的其他元器件与其工作条件相匹配,如电压和电流的稳定供应。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET与其他标准的电子元器件兼容,可以轻松集成到现有的电路系统中。
    - 支持和维护:厂商提供了详尽的技术支持和售后保障,帮助客户解决任何可能遇到的技术问题。若有疑问或需要技术支持,可通过服务热线400-655-8788联系。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下,MOSFET的工作效率降低。
    - 解决方案:增加外部散热措施,如安装散热片或风扇,确保其工作在规定的温度范围内。
    - 问题2:在某些情况下,发现MOSFET出现异常发热现象。
    - 解决方案:检查电路设计是否有过大的电流冲击或短路情况,必要时更换更合适的产品型号。
    - 问题3:无法正常工作,显示过流保护。
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确认负载是否超出了MOSFET的最大额定值。如果有必要,重新计算并选择适合的电流限制。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V MOSFET UT108N03L-TN3-T凭借其出色的性能和可靠性,在多种应用场景中表现出色。低导通电阻、高工作温度范围以及广泛的兼容性使其成为电子工程师的优选。强烈推荐给需要高效、稳定的电子控制系统的设计者和制造商。

UT108N03L-TN3-T-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT108N03L-TN3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT108N03L-TN3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT108N03L-TN3-T-VB UT108N03L-TN3-T-VB数据手册

UT108N03L-TN3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:15
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型号 价格(含增值税)
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