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IRF7832UTRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性:\n- 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。\n- 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。\n- 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。\n- 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。\n- 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。\n- 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。\n- 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
供应商型号: IRF7832UTRPBF-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7832UTRPBF-VB

IRF7832UTRPBF-VB概述

    IRF7832UTRPBF N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IRF7832UTRPBF 是一款高性能的 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高侧同步整流操作优化。该器件采用无卤素材料制造,具备出色的性能和可靠性,适用于笔记本电脑CPU核心等高要求应用。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):18A(TC=25°C), 15A(TA=25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):50A
    - 最大功率耗散 (PD):4.5W(TC=25°C)
    - 电阻参数
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.004Ω(VGS=10V, ID=11A), 0.005Ω(VGS=4.5V, ID=10A)
    - 电气特性
    - 输入电容 (Ciss):820pF
    - 输出电容 (Coss):195pF
    - 反向传输电容 (Crss):73pF
    - 工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 储存温度范围:-55°C 至 150°C

    3. 产品特点和优势


    - Halogen-free:采用无卤素材料,符合环保标准。
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽式结构,实现更高的开关速度和更低的导通电阻。
    - Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation:特别适合高侧同步整流应用,提高效率。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:所有产品经过严格的栅极电阻和雪崩耐受测试,确保高度可靠。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于笔记本电脑CPU核心的高侧开关。
    - 使用建议:在使用过程中,确保散热系统良好,以防止过热。同时,注意避免瞬间电流过大,特别是在启动和关断时。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种电路设计,尤其适合高效率电源管理应用。
    - 支持:厂家提供详尽的技术支持文档,用户可通过服务热线(400-655-8788)获得进一步帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过热问题
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如使用散热片或散热风扇。
    - 问题2:电流波动
    - 解决方案:检查电路设计,确保电流稳定,避免瞬时电流过大。
    - 问题3:开关频率过高导致发热
    - 解决方案:适当降低开关频率,调整电路参数以减小发热。

    7. 总结和推荐


    IRF7832UTRPBF N-Channel MOSFET 具有卓越的性能和可靠性,适用于高要求的应用场合。其出色的耐压能力和低导通电阻使其成为高效电源管理和同步整流的理想选择。我们强烈推荐使用此款产品,并相信它能为您的设计带来显著的优势。

IRF7832UTRPBF-VB参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7832UTRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7832UTRPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7832UTRPBF-VB IRF7832UTRPBF-VB数据手册

IRF7832UTRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
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