处理中...

首页  >  产品百科  >  K3479-VB

K3479-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: K3479-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3479-VB

K3479-VB概述

    K3479-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K3479-VB 是一款 N-Channel MOSFET,设计用于满足各种高功率应用的需求。这款 MOSFET 具有高可靠性,适用于工业控制、电源管理和其他需要高电压和高电流的应用场合。K3479-VB 支持的最大击穿电压为 100V(Drain-Source Voltage, VDS),确保了其在高压环境下的稳定运行。

    2. 技术参数


    - 主要规格
    - 击穿电压(VDS):100V
    - 最大工作温度(TJ):175°C
    - 最大连续漏极电流(ID):100A(TJ = 150°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):300A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):280mJ
    - 最大功率耗散(PD):250W(TO-220AB 和 TO-263)
    - 电阻和电容
    - 导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10V 时,RDS(on) 为 0.009Ω;在 VGS = 4.5V 时,RDS(on) 为 0.020Ω
    - 输入电容(Ciss):4700pF
    - 输出电容(Coss):665pF
    - 反向转移电容(Crss):265pF
    - 动态特性
    - 总栅极电荷(Qg):105-160nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):17nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):23nC
    - 开启延迟时间(td(on)):12-25ns
    - 上升时间(tr):90-135ns
    - 关断延迟时间(td(off)):55-85ns
    - 下降时间(tf):130-195ns

    3. 产品特点和优势


    K3479-VB 的主要优势在于其卓越的热稳定性,能够在高达 175°C 的温度下正常工作。其低导通电阻使得在高电流应用中具备更高的效率。此外,该产品符合 RoHS 指令,并且在设计上保证了高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    K3479-VB 广泛应用于各种电源转换设备,如开关电源、电池充电器等。它也可用于电机驱动和照明控制等领域。

    - 使用建议
    在选择 MOSFET 时,建议根据具体应用环境(如温度、电流需求)选择合适的型号。同时,应充分考虑散热设计,以避免过热问题。例如,在高温环境中使用时,可以选用具有更好热导率的散热片来提高散热效果。

    5. 兼容性和支持


    K3479-VB 可与多种标准接口和电路板布局兼容,可广泛应用于各种 PCB 设计。厂商提供了详尽的技术支持文档和在线咨询服务,帮助客户解决安装和使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:长时间工作后,MOSFET 发热严重。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,使用散热片或散热风扇,并选择合适的 PCB 布局以优化空气流通。

    - 问题:开关频率过高导致效率下降。
    - 解决方案: 降低开关频率,选择合适的电容和电感值,以减少开关损耗。

    7. 总结和推荐


    K3479-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具备出色的耐温性和高效的导电性能,适用于多种高要求的电力电子应用。综合来看,这款产品无论是从技术规格还是实际应用效果都表现出色,值得推荐使用。
    以上是 K3479-VB N-Channel MOSFET 的详细介绍。如果您有任何疑问或需要进一步的信息,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

K3479-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 100A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3479-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3479-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3479-VB K3479-VB数据手册

K3479-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 38.87
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831